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SEMATECH联盟完成在CNSE奥尔巴尼300毫米的三维集成电路中试线工作

Published on August 30, 2010 at 8:46 PM

SEMATECH联盟的3D互连计划在又迈出了推动3D IC集成的成熟一步,今天宣布完成其300毫米的三维集成电路中试线,在纳米科学与工程(CNSE)奥尔巴尼纳米技术复杂学院。

SEMATECH的发展和探索的平台致力于通过中间的3D应用程序,包括所有流程和必要的测试车证明中通过结合先进的CMOS技术的可行性。

他说:“我们的使命是使3D穿透硅通孔(TSV)制造的和负担得起的。三维互连总监Sitaram Arkalgud,SEMATECH联盟,说:“我们将证明其非常现实的优势,比传统的二维设计,尤其是在增加的功能和性能。 “我们的300毫米研发线的建成,是朝着展示了TSV的大批量制造技术解决方案迈出的重要一步。”

5μm的x50μm的TSV技术为中心,过程包括TSV的形成和金属,晶圆和芯片对准,粘接,变薄,这些整合序列的必要的计量。 SEMATECH联盟的研究人员的支持下,由传统的CMOS处理能力的CNSE合作与芯片制造商,设备和材料供应商,设备制造的互动大学平面和未来扩展到30纳米65纳米节点,平面和非平面CMOS技术。

“由SEMATECH联盟在CNSE的奥尔巴尼纳米技术复杂的三维互连试验线的整合,进一步增强在UAlbany NanoCollege的前沿研究和开发能力,说:”理查德Brilla,在CNSE战略,联盟和财团的副总裁。 “这标志着在加快创新的纳米电子技术的先进制造另一个重要的一步。”

Arkalgud说,“我们的程序提供了访问3D 300毫米的研发能力来完成我们的成员,让他们在现实环境评估工具,工艺模块,甚至整合序列。此外,SEMATECH联盟是扮演一个与业界合作,在驱动器的制造和技术方案,标准和成本建模达成共识的战略作用。“

SEMATECH的三维计划于2005年,成立了大批量TSV制造提供强大的300毫米设备和工艺技术解决方案。 3D程序一直积极参与与先进的设备和材料供应商,并利用自己的专业知识,提供可制造性解决方案的过程。 2009年,该计划开始大大增加,包括300毫米的工具,材料和工艺模块3D TSV的300毫米晶圆制造,在2012年及以后所需的解决方案的开发和示范。

此外,SEMATECH的3D计划是开发一个参考设计流程,其中包含的关键要素的加工和计量学的兴趣,为它的成员。使用一个共同的参考流程,将有助于推动各成员和行业的共识,并借给转为成本模式的有效性。

3D集成电路将在半导体制造中发挥的重要作用,给予他们的潜能,以纾缓结垢的限制,降低信号延迟,提高性能和降低成本,。 TSV技术可提高电气性能,降低功耗,使异构设备的融合,缩小设备尺寸,并降低成本。

Last Update: 7. October 2011 03:05

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