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Posted in | Nanofabrication

SEMATECH聯盟完成在CNSE奧爾巴尼 300毫米的三維集成電路中試線工作

Published on August 30, 2010 at 8:46 PM

SEMATECH聯盟的3D互連計劃在又邁出了推動3D IC集成的成熟一步,今天宣布完成其300毫米的三維集成電路中試線,在納米科學與工程(CNSE)奧爾巴尼納米技術複雜學院。

SEMATECH的發展和探索的平台致力於通過中間的3D應用程序,包括所有流程和必要的測試車證明中通過結合先進的CMOS技術的可行性。

他說:“我們的使命是使3D穿透矽通孔(TSV)製造的和負擔得起的。三維互連總監 Sitaram Arkalgud,SEMATECH聯盟,說:“我們將證明其非常現實的優勢,比傳統的二維設計,尤其是在增加的功能和性能。 “我們的300毫米研發線的建成,是朝著展示了TSV的大批量製造技術解決方案邁出的重要一步。”

5μm的x50μm的TSV技術為中心,過程包括TSV的形成和金屬,晶圓和芯片對準,粘接,變薄,這些整合序列的必要的計量。 SEMATECH聯盟的研究人員的支持下,由傳統的CMOS處理能力的CNSE合作與芯片製造商,設備和材料供應商,設備製造的互動大學平面和未來擴展到30納米 65納米節點,平面和非平面CMOS技術。

“由SEMATECH聯盟在CNSE的奧爾巴尼納米技術複雜的三維互連試驗線的整合,進一步增強在UAlbany NanoCollege的前沿研究和開發能力,說:”理查德Brilla,在CNSE戰略,聯盟和財團的副總裁。 “這標誌著在加快創新的納米電子技術的先進製造另一個重要的一步。”

Arkalgud說,“我們的程序提供了訪問 3D 300毫米的研發能力來完成我們的成員,讓他們在現實環境評估工具,工藝模塊,甚至整合序列。此外,SEMATECH聯盟是扮演一個與業界合作,在驅動器的製造和技術方案,標準和成本建模達成共識的戰略作用。“

SEMATECH的三維計劃於 2005年,成立了大批量TSV製造提供強大的300毫米設備和工藝技術解決方案。 3D程序一直積極參與與先進的設備和材料供應商,並利用自己的專業知識,提供可製造性解決方案的過程。 2009年,該計劃開始大大增加,包括300毫米的工具,材料和工藝模塊 3D TSV的300毫米晶圓製造,在2012年及以後所需的解決方案的開發和示範。

此外,SEMATECH的3D計劃是開發一個參考設計流程,其中包含的關鍵要素的加工和計量學的興趣,為它的成員。使用一個共同的參考流程,將有助於推動各成員和行業的共識,並借給轉為成本模式的有效性。

3D集成電路將在半導體製造中發揮的重要作用,給予他們的潛能,以紓緩結垢的限制,降低信號延遲,提高性能和降低成本,。 TSV技術可提高電氣性能,降低功耗,使異構設備的融合,縮小設備尺寸,並降低成本。

Last Update: 7. October 2011 21:27

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