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Posted in | Nanoelectronics

Samsung の新しい高性能メモリーチップからの Smartphone の市場の利点

Published on September 7, 2010 at 2:27 AM

サムソング・エレクトロニックス Co.、株式会社の各国指導者は高度のメモリ技術の、今日導入された高性能 8 ギガバイト (GB)そして 16GB moviNAND™ Westin 台北のホテルでここに保持された第 7 年次 Samsung の移動式解決のフォーラムで smartphones で使用のためのメモリーチップを埋め込みました。

新しい解決は最新の e MMC 指定と完全に対応する企業の最初のメモリデバイス JEDEC の埋め込まれた MultiMediaCard の製品標準 v4.41 です。

新しい高性能 e MMC 4.41 の指定を採用して、 Samsung の moviNAND はホスト改善する機能の提供によって e MMC 4.4 指定の下で開発される前の解決より効率的に動作できます (またはアプリケーションプロセッサ) に e MMC 装置の敏感さを。

「私達は少数の主顧客に e MMC v4.41 を既に互換性がある新しい moviNAND の解決に与えて、非常に肯定応答をそれらから得ます」、 Seijin 金を計画/可能になること副大統領、フラッシュ・メモリのサムソング・エレクトロニックス言いました。 技術の多様性を提供するために 「高めることができる」。は埋め込まれたメモリが smartphone の市場の急成長に貢献の使いやすさを、ようにこれらの解決私達の責任に一貫しています

以前は e MMC 4.4 インターフェイスはデザイナーに高速操作のためにシングルレベルのセル領域および高密度データ記憶のために (SLC)多重レベルセル領域を使用することのような記憶の、 (MLC)仕切りの柔軟性を提供してしまいました。 ここで、新しいチップは (新しい e MMC 4.41 インターフェイス規格に付着する) 高優先順位割り込みをかなりアップグレードされたユーザーの経験に、与え、 (HPI)背景操作機能を改良しました。

新しい標準化された機能を包含して、最新の Samsung の moviNAND チップは順序のより効率的な処理を可能にします。 e MMC 装置がデータを書いている間ホストがアプリケーションを実行するか、またはデータを読みたいと思えば、ホストは装置に装置が最も新しいコマンドに答えるために前の執筆を停止するように HPI コマンドを送ることができます。 この機能を使用して、ホストは潜伏なしで装置の応答を受け取ることができます。

また Samsung によって埋め込まれるメモリが作動中のとき、ホストは埋め込まれたメモリが書の潜伏を減らすことができるためにガーベージの短縮のような背景操作のためのフリータイムを利用するようにそれに命じることができます。

新しい高性能 moviNAND に加えて、 Samsung はちょうど 1 ミリメートル (mm) を測定する極めて薄いチップ MCP (複数のチップパッケージ) の解決 5 つ、現在の 4 チップ MCPs 上の重要な減少もたらしています高さ (z 高さ) の 1.15mm である。 moviNAND ベースの MCP は移動式ドラムと組み合わせて使用できます。 高度の多目的 MCP の供物は smartphones のような高いマルチメディアの作業負荷の移動式アプリケーションで使用のために今年中に使用できます。

Samsung は既に 7月末頃の 30 のナノメーターのクラス 32 ギガビット否定論履積のフラッシュ (nm)チップを使用して (Gb) 8GB moviNAND を、作り出し始め 20nm クラスの 32Gb 否定論履積のフラッシュを使用して 16GB moviNAND を今月作り出し始めます。

Samsung は未来の moviNAND の製品のための 20nm クラスの 32Gb 否定論履積チップの実線と 30nm クラスの 32Gb 否定論履積のフラッシュチップを今年末頃に取り替え始めることを計画します。

ソース: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 03:15

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