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Samsung의 새로운 고성능 메모리 칩에서 Smartphone 시장 이득

Published on September 7, 2010 at 2:27 AM

삼성 전자 Co., 주식 회사 의 세계 지도자는 향상된 기억 장치 기술에 있는, 오늘 소개된 고성능 8 기가바이트 (GB) 그리고 16GB moviNAND™ Westin 타이페이 호텔에서 여기에서 붙들린 일곱 번째 연례 Samsung 이동할 수 있는 해결책 공개토론에 smartphones에 있는 사용을 위한 메모리 칩을 끼워넣었습니다.

새로운 해결책은 최신 e MMC 논고에 완전하게 호환된 기업에 있는 첫번째 기억 장치, JEDEC의 끼워넣어진 MultiMediaCard 제품 표준 v4.41입니다.

새로운 고성능 e MMC 4.41 논고를 채택해서, Samsung의 moviNAND는 호스트 향상하는 특징을 제공해서 e MMC 4.4 논고의 밑에 개발된 이전 해결책 보다는 능률적으로 작동할 수 있습니다 (또는 응용 프로그램 프로세서)에게 e MMC 장치의 응답성을.

"우리는 약간 중요한 고객에게 e MMC v4.41를 이미 양립한 새로운 moviNAND 해결책을 제공해 그리고 아주 긍정적인 반응을 그(것)들에게서 얻기," Seijin 김을 계획/가능하게 하는 부사장, 플래시 메모리 삼성 전자 말했습니다. "강화하도록."는 내재되어 있던 기억 장치가 smartphone 시장의 급속한 성장에 기여에서 그것의 userfriendliness를, 이 해결책 우리의 투입으로 일관됩니다 기술의 다양성을 제공하기 위하여

이전에 e MMC 4.4 공용영역은 디자이너에게 고속 작동을 위해 단 하나 수준 세포 지역 및 고밀도 자료 기억 장치를 위해 (SLC) 다단계 세포 지역 사용과 같은 저장 (MLC) 분할의 융통성을 제안했습니다. 지금, (새로운 e MMC 4.41 공용영역 기준에 고착하는) 새로운 칩은 최우선 순위 개입중단을 현저하게 격상된 사용자 경험을, 제공하고 (HPI) 배경 작동 특징을 향상했습니다.

새로운 표준화한 특징을 받아들여서, 최신 Samsung moviNAND 칩은 명령의 능률적인 가공을 가능하게 합니다. e MMC 장치가 데이터를 쓰고 있는 동안 호스트가 응용을 실행하거나 데이터를 읽고 싶은 경우에, 호스트는 장치에 장치가 가장 새로운 커맨드에 반응하기 위하여 이전 쓰기를 중단하다 그래야 HPI 커맨드를 보낼 수 있습니다. 이 특징을 사용하여, 호스트는 어떤 잠복도 없이 장치의 반응을 얻을 수 있습니다.

Samsung에 의하여 내재되어 있는 기억 장치가 작업 중의 때 더구나, 호스트는 내재되어 있던 기억 장치가 쓰 잠복을 감소시킬 수 있다 그래야 쓰레기 압축과 같은 배경 작동을 위한 자유시간을 이용하기 위하여 그것을 명령할 수 있습니다.

그것의 새로운 고성능 moviNAND 이외에, Samsung는 다만 1 밀리미터 (mm)를 측정하는 매우 얇은 칩 MCP (다중 칩 포장) 해결책 5개, 현재 4 칩 MCPs에 중요한 감소 소개하고 있습니다 고도 (z 고도)에서 1.15mm인. moviNAND 기지를 둔 MCP는 이동할 수 있는 드램과 조화하여 유효할 것입니다. 향상된 다중목적 MCP 제물은 smartphones와 같은 높은 다중 매체 표준 노동량을 가진 이동할 수 있는 응용에 있는 사용을 위해 올해 말까지 유효할 것입니다.

Samsung는 이미 7월 말에 있는 30 나노미터 종류 32 기가비트 낸드 섬광 (nm) 칩을 사용하여 (Gb) 8GB moviNAND를, 일으키기 시작하고, 20nm 종류 32Gb 낸드 섬광을 사용하여 16GB moviNAND를 이달에 일으키기 시작할 것입니다.

Samsung는 미래 moviNAND 제품을 위한 20nm 종류 32Gb 낸드 칩의 전체-제품군으로 그것의 30nm 종류 32Gb 낸드 섬광 칩을 올해 후반에 교환하기 시작하는 것을 계획합니다.

근원: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 04:46

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