Posted in | Nanoelectronics

Преимущества Рынка Smartphone от Микросхем Памяти Samsung Новых Высокопроизводительных

Published on September 7, 2010 at 2:27 AM

CO. Samsung Electronics, Ltd., мировой лидер в предварительной технологии памяти, сегодня введенный высокопроизводительный 8 гигабайтов (GB) и moviNAND™ 16GB врезало микросхемы памяти для пользы в smartphones на седьмом однолетнем Форуме Разрешений Samsung, котор Передвижном держат здесь на Гостинице Westin Тайбэй.

Новые разрешения первые приборы памяти в индустрии полно - совместимой с самой последней e-MMC спецификацией, Продукт Стандартное v4.41 MultiMediaCard JEDEC Врезанный.

Принимающ новую спецификацию e-MMC 4,41 высокого класса исполнения, moviNAND Samsung может работать более эффективно чем предыдущие разрешения начатые под спецификацией e-MMC 4,4 путем обеспечивать характеристики которые улучшают отзывчивость прибора e-MMC к хозяину (или обработчику применения).

«Мы уже снабубежали новые разрешения moviNAND совместимые с e-MMC v4.41 немного ключевых клиентов и получающ очень позитивный отклик от их,» сказал Seijin Ким, недостаток - президент, Запланирование Флэш-память/Позволять, Samsung Electronics. «Эти разрешения последовательны с нашим принятием окончательного решения для того чтобы обеспечить разнообразность технологий для врезанной памяти для того чтобы увеличить свой userfriendliness, в способствовать к быстрому росту рынка smartphone.»

Ранее интерфейс e-MMC 4,4 предложил конструкторам гибкость разделять хранение, как использование одноуровенной зоны (SLC) клетки для высокоскоростных деятельностей и многоуровневой зоны (MLC) клетки для high-density хранения данных. Теперь, новые обломоки (придерживаясь к новому стандарту интерфейса e-MMC 4,41) обеспечивают значительно модернизированный опыт пользователя, с самый важный прерыванием (HPI) и улучшили характеристики деятельности предпосылки.

Обнимающ новые унифицированные характеристики, самые последние обломоки moviNAND Samsung включают более эффективный обрабатывать заказов. Если хозяин хочет исполнить применение или прочитать данные, то пока прибор e-MMC пишет данные, хозяин может послать команду HPI к прибору так, что прибор остановит предыдущее сочинительство для того чтобы ответить к самой новой команде. Используя эту характеристику, хозяин может получить реакцию прибора без любой латентности.

Также, когда память врезанная Samsung нет в деятельности, хозяин может управлять им для того чтобы использовать свободное время для деятельностей предпосылки как уплотнение отброса, так, что врезанная память сможет уменьшить латентность писания.

В дополнение к своему новому высокопроизводительный moviNAND, Samsung вводит ультратонкие 5 разрешений которые измеряют как раз 1 миллиметр (mm), значительно уменьшение MCP обломока (пакета multi-обломока) над настоящим 4-обломоком MCPs которая 1.15mm в высоте (z-высоте). MoviNAND-основанный MCP будет доступен в комбинации с передвижной ДРАХМОЙ. Предварительные универсальные предложения MCP будут доступны в конце этого года для пользы в передвижных применениях с высокой рабочей нагрузкой мультимедиа как smartphones.

Samsung уже начал произвести moviNAND 8GB, используя тип 30 (nm) нанометров обломоки вспышки (Gb) NAND 32 гигабит в в конце Июль, и начнет произвести moviNAND 16GB используя вспышку 20nm-class 32Gb NAND этот месяц.

Samsung планирует начать заменить свои обломоки вспышки 30nm-class 32Gb NAND с полной линией обломоков 20nm-class 32Gb NAND для будущих продуктов moviNAND более поздно этот год.

Источник: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 03:26

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit