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L'Impression de Toppan Développe le Procédé Neuf de Photomask pour les Dispositifs 22nm et 20nm

Published on September 10, 2010 at 7:37 AM

Toppan Estampant Cie., Ltd a aujourd'hui annoncé qu'il a développé un processus de fabrication de photomask à son dextérité dans Asaka, Japon, pour supporter la production de dispositif de semi-conducteur 22nm et 20nm.

Ce procédé a été développé par le projet de développement conjoint actuel de Toppan avec IBM. Toppan est prêt à supporter prototypage ainsi que production du photomask 22nm et 20nm pour les abonnées de pointe de fabrication de semi-conducteur.

Les Semi-conducteurs ont en raison de plus en plus sophistiqué été de la demande croissante en dispositifs de télécommunication et produits électroniques du consommateur digital hautement complexe et multifonction. On s'attend à ce que de Tels semi-conducteurs avancés aient une meilleure performance, consommation d'énergie, et plus peu coûteux inférieurs. Les Photomasks jouent un rôle critique dans la production des semi-conducteurs qui répondent à ces besoins. Le procédé neuf de photomask de Toppan aidera à accélérer la production des semi-conducteurs pour les technologies de la deuxième génération.

Bien Que les photomasks deviennent plus complexes, le Projet de Développement Conjoint du Photomask IBM-Toppan a collaboré avec des équipes de disque-technologie d'IBM Fishkill et à Albany, N.Y. Est, pour augmenter la technologie de photomask tout en également réalisant l'épargne significative de développement-coût. La dernière solution technique de photomask facilite des conditions de disque pour que les doubles solutions avancées du masque optimization1 de structuration (SMO) et de source étendent les capacités de la lithographie optique de submersion de fluorure d'argon de la longueur d'onde 193nm (ArF). En Dépit de l'attention concentrée sur EUV et d'autres technologies de la deuxième génération de lithographie, ces solutions de rechange présentent des défis importants à l'accouchement des solutions fabrication-disponibles pour les noeuds 22nm et 20nm.

Pour supporter l'écosystème global de semi-conducteur, les technologies de photomask doivent demeurer en avant des programmes de disque et fournir une meilleure capacité. Une méthode d'accomplir ceci est d'augmenter la performance de disque par le développement du matériau nouveau de masque et de l'intégration associée de procédé de photomask. Un MoSi opaque neuf et plus mince sur le matériau (OMOG) en verre pour la performance améliorée de photomask et de disque a été développé. Les avantages de photomask réalisés sont égalité améliorée, modification moins procédé-induite d'emplacement de configuration, résistance de nettoyage accrue, meilleure définition, et uniformité supérieure d'image.

Les améliorations activées par OMOG mince pour l'impression de disque sont bien plus révolutionnaires. La topographie réduite associée avec OMOG mince tient compte d'un plus petit champ électromagnétique bias2, d'un manufacturability amélioré de disque et des contraintes réduites de configuration de masque. Souplesse optique de correction de proximité de masque de configuration d'augmentation Décontractée de contraintes sur des fonctionnalités clé telles que des aides de sous-définition et des lacunes de coin-à-coin. La performance générale Supérieure de lithographie peut être obtenue par une combinaison des améliorations de masque et des avantages d'impression de disque.

Des Détails de cette technologie neuve de photomask seront présentés à la conférence de Technologie de Photomask de 2010 SPIE, Septembre 13-16 dans Monterey, Californie.

« Cette annonce marque une étape significative dans le réussi, collaboration de plusieurs années de développement conjoint entre Toppan et IBM, » a dit Gary Patton, Vice Président de Recherche de Semi-conducteur d'IBM et de Centre de Développement. Les « Photomasks sont critiques à activer la technologie pour la fabrication de semi-conducteur, et ensemble nos deux compagnies ont fourni une technologie manufacturière avancée de masque qui peut aider à accélérer le développement, la production de masse et le temps-à-marché de 22nm et de plus petits dispositifs. »

« Le travail de collaboration entre Toppan et IBM a réalisé une autre innovation technologique de photomask aujourd'hui, » a dit Toshiro Masuda, Directeur Adjoint de Division de l'Électronique et Directeur Général de l'Impression de Toppan. « Toppan continuera à supporter nos abonnées de fabrication de semi-conducteur en accroissant ce procédé developpé récemment de photomask pour contribuer à l'évolution de l'entreprise de semiconducteurs. »

Source : http://www.toppan.co.jp/

Last Update: 12. January 2012 03:07

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