La Stampa di Toppan Sviluppa il Nuovo Trattamento del Photomask per le Unità 22nm e 20nm

Published on September 10, 2010 at 7:37 AM

Toppan che Stampa il Co., Srl oggi ha annunciato che ha sviluppato un processo di fabbricazione del photomask alla sua funzione in Asaka, Giappone, per supportare la produzione dell'unità a semiconduttore 22nm e 20nm.

Questo trattamento è stato sviluppato con il progetto di sviluppo congiunto in corso di Toppan con IBM. Toppan è pronto a supportare modello come pure la produzione del photomask 22nm e 20nm per i clienti avanzati di fabbricazione a semiconduttore.

I Semiconduttori hanno sempre più specializzato diventato dovuto la domanda crescente delle unità della telecomunicazione e dei prodotti elettronici del consumatore digitale altamente complesso e multifunzionale. Tali semiconduttori avanzati si pensano che abbiano prestazione migliore, consumo di energia e più a basso costo più bassi. I Photomasks svolgono un ruolo critico nella produzione dei semiconduttori che soddisfanno quelle richieste. Il nuovo trattamento del photomask da Toppan contribuirà ad accelerare la produzione dei semiconduttori per le tecnologie di prossima generazione.

Sebbene i photomasks stiano diventando più complessi, il Progetto di Sviluppo Congiunto del Photomask di IBM-Toppan ha collaborato con i gruppi della wafer-tecnologia di IBM a Fishkill ed Albany, N.Y. Orientale, per migliorare la tecnologia del photomask mentre però raggiungendo il risparmio significativo di sviluppo-costo. L'ultima soluzione della tecnologia del photomask accomoda i requisiti del wafer di doppie soluzioni avanzate della maschera optimization1 di sorgente (SMO) e di modello per estendere le capacità della litografia ottica di immersione del fluoruro dell'argon di lunghezza d'onda 193nm (ArF). Malgrado l'attenzione concentrata su EUV e su altre tecnologie di prossima generazione di litografia, queste sfide significative attuali di alternative alla consegna delle soluzioni fabbricazione-pronte per il 22nm ed i vertici 20nm.

Per supportare l'ecosistema globale a semiconduttore, le tecnologie del photomask devono rimanere davanti ai programmi del wafer e fornire la migliore capacità. Un metodo di effettuazione del questo è di migliorare la prestazione del wafer con lo sviluppo del materiale novello della maschera e dell'integrazione associata di trattamento del photomask. Un nuovo, MoSi opaco più sottile su materiale (OMOG) di vetro per la prestazione migliore del wafer e del photomask è stato sviluppato. I vantaggi del photomask realizzati sono planarità migliore, da cambiamento meno indotto da trattamento di collocamento del reticolo, la durevolezza di pulizia aumentata, migliore risoluzione e l'uniformità superiore di immagine.

I miglioramenti permessi a da OMOG sottile per stampa del wafer sono ancor più rivoluzionari. La topografia diminuita connessa con OMOG sottile tiene conto il più piccolo campo elettromagnetico bias2, il manufacturability migliore del wafer ed i vincoli diminuiti del reticolo di maschera. Flessibilità ottica di correzione di prossimità di maschera del reticolo di aumento Rilassato di vincoli sulle caratteristiche fondamentali quali gli aiuti di sotto-risoluzione e le lacune dell'angolo--angolo. La prestazione globale Superiore della litografia può essere ottenuta con una combinazione di miglioramenti della maschera e di vantaggi di stampa del wafer.

I Dettagli di questa nuova tecnologia del photomask saranno presentati alla conferenza della Tecnologia del Photomask di 2010 SPIE, Settembre 13-16 in Monterey, California.

“Questo annuncio traccia una pietra miliare significativa nel riuscito, collaborazione pluriannuale di sviluppo congiunto fra Toppan e IBM,„ ha detto Gary Patton, Vicepresidente della Ricerca & del Centro di Sviluppo A Semiconduttore di IBM. “I Photomasks sono critici a permettere alla tecnologia per fabbricazione a semiconduttore e le nostre due società hanno consegnato insieme una tecnologia di fabbricazione avanzata della maschera che può contribuire ad accelerare lo sviluppo, la produzione in volume ed il time to market di 22nm e di più piccole unità.„

“Il lavoro di collaborazione fra Toppan e IBM ha raggiunto oggi un'altra innovazione della tecnologia del photomask,„ ha detto Toshiro Masuda, Vice Direttore di Divisione di Elettronica e Amministratore Delegato di Stampa di Toppan. “Toppan continuerà a supportare i nostri clienti di fabbricazione a semiconduttore facendo leva questo trattamento di recente sviluppato del photomask per contribuire all'evoluzione dell'industria a semiconduttore.„

Sorgente: http://www.toppan.co.jp/

Last Update: 12. January 2012 03:14

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