Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD

Печатание Toppan Начинает Новый Процесс Photomask для Приборов 22nm и 20nm

Published on September 10, 2010 at 7:37 AM

Toppan Печатая CO., Ltd. сегодня объявило что оно начинало процесс производства photomask на своем средстве в Asaka, Японии, для того чтобы поддержать продукцию полупроводникового устройства 22nm и 20nm.

Этот процесс был начат через проект развития Toppan продолжающийся совместный с IBM. Toppan готово поддержать прототипирование так же, как продукция photomask 22nm и 20nm для клиентов изготавливания полупроводника ведущей кромки.

Полупроводники имеют, котор стали все больше и больше изощренное должное к растущему спросу для приборов радиосвязи и продуктов сильно сложного и многофункционального цифрового едока электронных. Ожидано, что имеют Такие предварительные полупроводники более лучшее представление, более низкие расход энергии, и недорог. Photomasks играют критическую роль в производить полупроводники которые соотвествуют те. Новый процесс photomask от Toppan поможет ускорить ход продукции полупроводников для технологий следующего поколени.

Хотя photomasks будут более сложными, Проект Развития Соединения Photomask IBM-Toppan сотрудничал с командами вафл-технологии IBM в Восточном Fishkill и Albany, N.Y., для того чтобы увеличить технологию photomask пока также достигающ значительно стоимостей сбережений. Самое последнее разрешение технологии photomask приспосабливает требования к вафли для предварительных двойных разрешений маски optimization1 делать по образцу (SMO) и источника для того чтобы расширить возможности литографирования погружения фторида аргона длины волны 193nm (ArF) оптически. Несмотря На внимание сфокусированное на EUV и других технологиях литографированием следующего поколени, эти возможности алтернатив присутствующие значительно к поставке изготавливани-готовых разрешений для 22nm и узлы 20nm.

Для того чтобы поддержать глобальную экосистему полупроводника, технологии photomask должны остать впереди план-графиков вафли и обеспечить более лучшая возможность. Один метод выполнения этого увеличить представление вафли через развитие романного материала маски и связанного внедрения процесса photomask. Было начато новое, более тонкое опаковое MoSi на (OMOG) стеклянном материале для улучшенного представления photomask и вафли. Осуществлянные преимущества photomask улучшенная плоскостность, более менее процесс-наведенное изменение размещения картины, увеличенная очищая стойкость, более лучшее разрешение, и главное единообразие изображения.

Улучшения позволенные тонким OMOG для печатания вафли даже более революционны. Уменьшенная топография связанная с тонким OMOG позволяет для более малого электромагнитного поля bias2, улучшенного manufacturability вафли и уменьшенных ограничений по картины маски. Relaxed ограничения по картины маски увеличивают оптически гибкость коррекции близости на главных особенностях как голевые передачи sub-разрешения и зазоры угл-к-угла. Главное общее представление литографированием можно получить через улучшения маски сочетание из и преимущества печатания вафли.

Детали этой новой технологии photomask на конференции Технологии Photomask 2010 SPIE, SEPT. 13-16 в Монтерей, CALIF.

«Это объявление маркирует значительно основной этап работ в успешной, сотрудничество совместного развития multi-года между Toppan и IBM,» сказал Гэри Patton, Недостаток - Президент Исследования & Разрабатывающей Организации Полупроводника IBM. «Photomasks критические к включать технологию для изготавливания полупроводника, и совместно наши 2 компании поставляли предварительную технологию изготавливания маски которая может помочь быстро пройти развитие, объем продукции и время на реализацию 22nm и более малых приборов.»

«Сотрудническая работа между Toppan и IBM достигла другого рационализаторства технологии photomask сегодня,» сказал Toshiro Masuda, Заместитель Главы Разделения Электроники и Управляющий Директор Печатания Toppan. «Toppan будет продолжаться поддержать наших клиентов изготавливания полупроводника путем leveraging этот заново начатый процесс photomask внести вклад в развитие индустрии полупроводника.»

Источник: http://www.toppan.co.jp/

Last Update: 12. January 2012 03:26

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit