凸版印刷公司22nm工艺和20nm的设备开发新的光掩模工艺

Published on September 10, 2010 at 7:37 AM

凸版印刷有限公司今天宣布,它已经开发出在其设施朝霞,日本,光掩膜制造过程中,支持22nm工艺和20nm半导体器件生产。

这个过程是通过凸版正在进行的与IBM联合开发项目。凸版是准备支持22nm工艺和20nm的光罩原型,以及为领先的半导体制造客户生产。

半导体已经变得越来越复杂,由于电信设备和高度复杂和多功能的数字消费电子产品的需求不断增长。这种先进的半导体,预计将有更好的性能,更低的功耗和更低的成本。满足这些要求,在生产半导体光罩发挥了关键作用。从凸版光掩模过程,将有助于加快下一代技术的半导体生产。

虽然光掩膜正变得越来越复杂,IBM凸版光掩膜的联合开发项目合作,与IBM晶圆技术队在East Fishkill和奥尔巴尼,纽约州,以提高光掩膜技术,同时也取得了显著的发展,节约成本。最新的光掩膜技术解决方案可容纳先进的双重图形和源掩码优化(SMO)1 193nm的波长氟化氩(ARF)的浸入式光学光刻技术的扩展能力的解决方案的晶片需求。尽管集中在EUV和其他下一代光刻技术的关注,这些替代品的生产就绪的解决方案交付的22nm工艺和20nm节点带来了显著的挑战。

为了支持全球的半导体生态系统,光掩膜技术必须保持领先的晶圆的时间表,并提供更好的能力。一种实现的方法是通过发展新型屏蔽材料和相关的光罩流程的整合,以提高晶片性能。一个新的,更薄的玻璃(OMOG)材料的不透明MOSI改善光罩和晶圆性能已经研制成功。光罩优势实现提高平整度,过程诱导较低的模式安置变化,清洁耐用性增加,更好的分辨率,和卓越的图像均匀性。

薄OMOG启用晶圆印刷的改进更是革命性的。薄OMOG减少地形允许较小的电磁场bias2,提高晶圆制造,并降低了掩模图形的限制。宽松的面具模式的制约因素增加​​,如子的决议助攻和角角落差距的主要特点光学邻近校正的灵活性。卓越的整体光刻性能,可通过面具的改进和晶圆印刷的好处组合。

这个新的光掩模技术的细节将在2010年SPIE光掩膜技术大会,9月13-16日在加利福尼亚州蒙特雷

“这一宣布标志着成功,一年多的凸版印刷和IBM之间的联合开发合作中的一个重要的里程碑,”加里说巴顿,IBM半导体研发中心副总裁。 “光罩使半导体制造技术的关键,我们两家公司已经交付了一个先进的光掩膜制造技术,可以帮助加快开发,批量生产和市场的22纳米和更小的设备。”

“凸版印刷和IBM之间的协同工作,取得了另一种光掩膜技术创新的今天,增田,电子部的副团长和凸版印刷公司常务董事说:”俊郎。 “凸版将继续支持我们的半导体制造商客户,利用这种新开发的光掩膜过程半导体产业的发展作出贡献。”

来源: http://www.toppan.co.jp/

Last Update: 8. October 2011 19:45

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