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Toppan 打印開發 22nm 和 20nm 設備的新的光掩膜進程

Published on September 10, 2010 at 7:37 AM

打印 Co.,有限公司的 Toppan 今天宣佈它開發光掩膜製造過程在其設備在 Asaka,日本,支持 22nm 和 20nm 半導體設備生產。

此進程通過與 IBM 的 Toppan 的持續的聯合開發項目被開發了。 Toppan 準備支持 22nm 和 20nm 光掩膜原型以及生產的前進半導體製造客戶。

半導體有成為的越來越複雜由於對電信設備和高度複雜和多功能數字式消費者電子產品的擴大需求。 這樣先進的半導體預計有更好的性能,低功率衝減和更加低價。 光掩膜在生產符合那些要求的半導體扮演重要作用。 從 Toppan 的新的光掩膜進程將幫助加速半導體的生產下一代技術的。

雖然光掩膜變得更加複雜, IBMToppan 光掩膜聯合開發項目與 IBM 薄酥餅技術小組合作在東部 Fishkill 和阿爾巴尼,紐約,提高光掩膜技術,雖然同樣達到重大的發展費用儲蓄。 最新的光掩膜技術解決方法適應先進的雙屏蔽 optimization1 解決方法的薄酥餅需求 (SMO)擴大 193nm 波長氬氟化物 (ArF) 浸沒光學制版的功能的仿造和來源。 儘管於 EUV 和其他下一代石版印刷技術集中的注意,對製造準備好的解決方法發運的這些選擇當前重大的挑戰 22nm 的和 20nm 節點。

要支持全球半導體生態系,光掩膜技術必須在薄酥餅計劃前依然是和提供更好的功能。 一個方法完成此將提高薄酥餅性能通過新穎的屏蔽材料和關聯光掩膜進程綜合化的發展。 在玻璃材料的新,更加稀薄的不透明的 (OMOG) MoSi 被改進的光掩膜和薄酥餅性能的被開發了。 認識到的光掩膜好處是被改進的扁平、較不進程誘發的模式位置更改、增加的清洗的耐久性、更好的解決方法和優越圖像均一。

薄酥餅打印的稀薄的 OMOG 啟用的改善是更加革命的。 減少的地勢與稀薄的 OMOG 相關允許更小的電磁場 bias2,被改進的薄酥餅 manufacturability 和減少的掩模圖案約束。 輕鬆的在關鍵功能的掩模圖案約束增量光學接近度更正靈活性例如子解決方法協助和角落對角落空白。 優越整體石版印刷性能可以通過屏蔽改善和薄酥餅打印福利的組合得到。

此新的光掩膜技術詳細資料將存在 2010 个 SPIE 光掩膜技術會議, 9月 13-16 在蒙特里,加利福尼亞。

「此聲明指示在成功的一個重大的重要事件,在 Toppan 和 IBM 之間的幾年的聯合開發協作」,加利 Patton, IBM 半導體研究 & 開發中心的副總統說。 「光掩膜對啟用半導體製造的技術至關重要,并且我們的二家公司一起提供了可能幫助加速 22nm 和更小的設備發展、批量生產和定期對市場的一個先進的屏蔽製造技術」。

「在 Toppan 和 IBM 之間的合作工作今天達到另一光掩膜技術創新」,總經理說 Toshiro 電子分部的 Masuda、副主席和 Toppan 打印。 「Toppan 將繼續通過利用此新開發的光掩膜進程造成支持我們的半導體製造客戶半導體行業的演變」。

來源: http://www.toppan.co.jp/

Last Update: 26. January 2012 05:16

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