Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

I Materiali Applicati Introduce il Sistema di Ispezione della Maschera Aera3

Published on September 14, 2010 at 1:00 AM

Applied Materials, Inc. oggi ha annunciato il suo Sistema di ispezione Applicato della Maschera di Aera3™, permettendo al photomask ed ai produttori di chip di incontrare le sfide di rilevazione di difetto più critico per tutti i photomasks a 22nm, facendo uso della sua tecnologia dell'immagine aerea collaudata.

Il Bene Immobile sul sistema Applicato approfondito Aera2, il nuovo sistema migliora la sensibilità di rilevazione da 50%, permettendo all'ispezione di più piccole funzionalità del circuito mentre amplifica la sua capacità unica di classificare i difetti della maschera secondo il loro impatto sul wafer. Questo vantaggio chiave rende al sistema Aera3 il più veloce, la maggior parte della soluzione accurata di qualificazione della maschera disponibile.

I Materiali Applicati hanno introdotto il suo sistema Aera3 per l'ispezione 22nm avanzato e dei photomasks di EUV facendo uso di tecnologia dell'immagine aerea collaudata.

L'Odierna litografia avanzata usa le tecniche (DP) di ottimizzazione della sorgente-maschera e (SMO) di doppio modello dove le funzionalità sulla maschera non sopportano quasi rassomiglianza al reticolo definitivo sul wafer stampato. I sistemi di ispezione di alta risoluzione Convenzionali usano i modelli per simulare l'immagine aggettante della maschera sul wafer e per avere determinazione della difficoltà quali difetti sono importanti. La tecnologia dell'immagine aerea migliorata del sistema Aera3 emula il sistema ottico dello scanner della litografia, permettendo che gli utenti immediatamente vedano se un difetto causerà i problemi o può essere trascurato sicuro.

Il sistema Aera3 introduce le innovazioni multiple che si combinano per migliorare la sensibilità di rilevazione, compreso una sorgente luminosa più potente, una più piccola dimensione del pixel, una modellatura specializzata dell'illuminazione e una polarizzazione. Inoltre, il Aera3 è il primo sistema capace dell'ispezione delle maschere ultraviolette estreme della litografia (EUVL) facendo uso della modellatura dell'illuminazione. Questa tecnologia dimiglioramento, accoppiata con la ultra-piccola dimensione del pixel 67nm, permette al modulo facoltativo di EUVL di individuare i difetti piccoli quanto 12nm, rendente al sistema Aera3 lo strumento ideale per supportare lo sviluppo pathfinding dei clienti' EUVL.

“Le capacità del benchmark Del sistema Aera3 sono un risultato della nostra collaborazione vicina con la maschera di avanguardia compera intorno il mondo,„ ha detto Ronen Benzion, vice presidente e direttore generale di divisione Trattata Applicata di Controllo e di Sistemi Diagnostici. “Il sistema indirizza tutte le domande di ispezione di maschere della generazione seguente, rendentegi uno strumento essenziale per qualificare rapido le nuove maschere e per tenere la carreggiata col passare del tempo la qualità della maschera, portando i guadagni di produttività all'intera cella della litografia.„

I Materiali Applicati montreranno il sistema Aera3 alla conferenza ed all'esposizione della Tecnologia del Photomask di 2010 SPIE che sono tenute in Monterey, la California.

Sorgente: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 12. January 2012 03:14

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit