Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

De Toegepaste Materialen Introduceert het Systeem van de Inspectie van het Masker Aera3

Published on September 14, 2010 at 1:00 AM

De Toegepaste Materialen, Inc. kondigden vandaag zijn Toegepast systeem van de Inspectie van het Masker Aera3™, toelatend photomask en spaanderfabrikanten aan om de kritiekste uitdagingen van de tekortopsporing voor alle photomasks bij 22nm te ontmoeten, gebruikend zijn bewezen luchtweergavetechnologie.

Voortbouwend op het groundbreaking Toegepaste systeem Aera2, verbetert het nieuwe systeem opsporingsgevoeligheid door 50%, toelatend inspectie van kleinere kringseigenschappen terwijl het opvoeren van zijn unieke capaciteit om maskertekorten volgens hun effect op het wafeltje te classificeren. Dit zeer belangrijke voordeel maakt tot het systeem Aera3 de snelste, nauwkeurigste beschikbare oplossing van de maskerkwalificatie.

De Toegepaste Materialen introduceerden zijn systeem Aera3 om geavanceerde 22nm en EUV te inspecteren photomasks gebruikend bewezen luchtweergavetechnologie.

De geavanceerde lithografie Van Vandaag gebruikt dubbel-vormt (DP) en bron-masker optimalisering (SMO) technieken waar de eigenschappen op het masker bijna geen gelijkenis aan het definitieve patroon op het afgedrukte wafeltje dragen. De Conventionele systemen van de hoge resolutieinspectie gebruiken modellen om het ontworpen maskerbeeld op het wafeltje te simuleren en moeilijkheid te hebben die welke tekorten bepalen belangrijk zijn. De verbeterde lucht de weergavetechnologie van het systeem Aera3 streeft het optische systeem die van de lithografiescanner na, gebruikers toestaan om onmiddellijk te zien of zal een tekort problemen veroorzaken of kan veilig worden genegeerd.

Het systeem Aera3 introduceert veelvoudige innovaties die combineren om opsporingsgevoeligheid, met inbegrip van een krachtigere lichtbron, kleinere pixelgrootte, het verfijnde verlichting vormen en polarisatie te verbeteren. Bovendien is Aera3 het eerste systeem geschikt om extreme ultraviolette lithografie (EUVL) maskers te inspecteren die verlichting het vormen gebruiken. Deze die contrast-verbeterende technologie, aan ultra-kleine 67nm pixelgrootte wordt gekoppeld, laat de facultatieve module EUVL toe om tekorten zo te ontdekken klein zoals 12nm, makend tot het systeem Aera3 het ideale hulpmiddel om klanten' te steunen pathfinding ontwikkeling EUVL.

De „de benchmarkmogelijkheden van het systeem Aera3 zijn een resultaat van onze dichte samenwerking met de winkels van het scherp-randmasker rond de wereld,“ bovengenoemde Ronen Benzion, ondervoorzitter en algemene manager van de Toegepaste Diagnostiek van het Proces en de afdeling van de Controle. Het „systeem richt alle inspectietoepassingen voor volgende generatiemaskers, die tot het maken een essentieel hulpmiddel om nieuwe maskers snel te kwalificeren en maskerkwaliteit in tijd te volgen, die productiviteitsaanwinsten brengen aan de volledige lithografiecel.“

De Toegepaste Materialen zullen het systeem Aera3 bij de de conferentie en tentoonstelling die van Technologie demonstreren 2010 SPIE Photomask in Monterey, Californië worden gehouden.

Bron: http://www.appliedmaterials.com/

Last Update: 12. January 2012 03:05

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit