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三星的 40nm 班的 DDR3 内存模块的大量生产

Published on September 24, 2010 at 4:21 AM

三星电子 Co.,有限公司,世界领导人在先进的存储技术,今天宣布它根据 4 吉比特大量生产膝上型计算机和移动工作区的 - 八十亿字节小的概述 (GB)双重轴向内存模块或无缓冲的 (SoDIMM)双重轴向内存模块最高密度的 (UDIMM)内存模块 (Gb), 40 个 (nm)毫微米班的 DDR3。 高密度 DDR3 将有益于需要与大数据集一起使用以显着最快速度的芯片设计者、 CAD/CAM 工程师和其他专业人员。

三星发运其新的高密的 1G x64 (8GB) 配置,高性能 40nm 班的基于 DDR3 的模块。 Dell,首先对与新的模块的市场,提供它在 17 个英寸 Dell 精确度 M6500 移动工作区,以三星为特色 40nm 班的 DDR3 32GBs,或者四个 8GB SoDIMMs。

Dell 精确度 M6500 以为特色至 Intel 核心 i7 极其编辑 CPU 和 Nvidia Quadro FX 3800M 图象,并且来与一个选项三星 256GB 固体驱动器或 500GB HDD 存贮,与选项第 2 个和第 3 个驱动器和 RAID 技术支持。 Dell 在 15 个英寸 Dell 精确度 M4500 移动电话工作区也提供三星在一种 16GB 配置的 8GB SoDIMM。

“Dell,一位主导的工作区提供者,由是迅速接受了行业的最高密度的微量生成 32GB 有三星 8GB 模块的移动工作区的第一个”,内存说吉姆埃利奥特,营销副总统,并且产品计划, Samsung Semiconductor, Inc. “这些高速模块为想要工作区不仅哼唱着,但是唱歌的设计工程师和其他专业人员提供更加快速的数据处理”。

“Dell 精确度工作区被设计提供不匹配性能,并且工作区客户和他们的软件应用的效率”, ISV 市场营销说格雷戈测流堰、高级经理、 Dell 精确度工作区产品和。 “通过提供最高密度的内存模块可得到从三星、 CAD、 CAM、油和煤气和其他专业人员在较少时刻能装载和管理更大的数据集,做可能性的几乎不可限量的生产率和的创造性”。

模块的 4Gb 40nm 班的筹码,过分要求的用户能现在利用可用所有内存的模块最佳的电源性能比例。 8GB 高密度模块运行在 1333MHz 兆每秒 (Mbps),当使用 1.5 伏特功率,提供一 67% 储蓄在 1.8V DDR2 时的电力消费。

八个十亿字节 DDR3 内存少于二个 4GB DDR3 模块消耗 53% 功率,在适应对低功率冲减的扩大需求。

根据市场研究公司 iSuppli,在 2011年全世界微量市场在 2010年预计增长 51% 和增加 60% (估计在 1Gb 等同的部件)。

来源: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 04:33

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