Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanofabrication

Прикладная Система Etch Photomask Старта Материалов для Литографирования 22nm

Published on September 27, 2010 at 10:13 PM

Прикладные Материалы сегодня запустили свою новую Прикладную систему Etch Перекрещения Centura Tetra Выдвинутую X - единственную систему способную вытравлять photomasks необходимы для слоев прибора клиентов самых трудных на 22nm и за пределами.

Расширяющ возможности платформы III индустриального стандарта Applied's Tetra, Tetra X ломает критический барьер единообразия размера (CDU) 2nm через все размеры характеристики - поставляющ критическую точность маски которая может позволить создателя маски превысить требования к картин-к-спецификации их клиентов самые строгие для всех типов прибора.

Etch маски Centura Tetra X Прикладных Материалов новый единственная система способная вытравлять photomasks необходим для того чтобы сделать по образцу слои прибора изготовлений полупроводника самые критические на 22nm и за пределами. (Фото: Провод Дела)

«Следующее поколени методы литографированием устанавливают большущие требования на маске где точность картины критическая,» сказало Ajay Kumar, недостаток - президент и генеральный директор расделения продукта Маски и Etch TSV1 Applied's. «Только Tetra система X поставляет технологию необходимую, что достигл этой точности, позволяющ чипмейкеры оптимизировать производительность технологического процесса литографированием для их самых высоких выполняя обломоков памяти и логики. Эта современная система, которая уже была квалифицирована для продукции 22nm на ведущем магазине маски, демонстрирует наше продолжаемое принятие окончательного решения к обеспечивать клиентов photomask с мирового класса технологией etch.»

Представление единообразия Tetra системы X уникально включает увеличенное разрешение литографированием для требовательных методов оптимизирования двойн-делать по образцу и (SMO) источник-маски путем поставлять сильно равномерный, линейный etch через все размеры характеристик и плотности картины пока поддерживающ defectivity virtually-zero. Tetra система X использует широкий диапазон повышений системы, включая proprietary, в реальном масштабе времени технологию процесса контроля для того чтобы включить маску следующего поколени трудную, опаковое MoSi2, и процессы etch кварца используемые для того чтобы изготовить предварительные photomasks binary и сдвига фазы.

Системы Applied's Tetra были использованы создателями маски всемирно для того чтобы вытравить подавляющее большинство лидирующих маск над последними 5 летами включая фактически каждую маску узла 32nm и развития EUVL3. Для больше информации, посещение www.appliedmaterials.com/products/photomask_etch_4.html.

Прикладной Материалы, Inc. (NASDAQ: AMAT) глобальный руководитель в обеспечивать новаторское оборудование, обслуживания и ПО для того чтобы включить изготовление предварительного полупроводника, плоского экрана и солнечных фотовольтайческих продуктов. Наши технологии помогают сделать рационализаторства как smartphones, плоское экран TVs и панели солнечных батарей более доступные и доступные к едокам и делам вокруг мира. На Прикладных Материалах, мы поворачиваем сегодняшние рационализаторства в индустрии завтра. Выучьте больше на www.appliedmaterials.com.

Last Update: 12. January 2012 04:11

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit