Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Technical Sales Solutions - 5% off any SEM, TEM, FIB or Dual Beam
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

There is 1 related live offer.

5% Off SEM, TEM, FIB or Dual Beam

Nanowires Горизонтально Производит Новое Преимущество

Published on September 28, 2010 at 7:32 PM

Пока уточняющ их романный метод для делать проводы nanoscale, химики на Национальном институте стандартов и технологий (NIST) открыли путь непредвиденной тантьемы- новый создать nanowires которые производят светлая подобную к тому от светоиспускающих диодов (LEDs).

Это «nano-СИД» может один день иметь их способности свет-излучения положенные для работы служя миниатюрных приборов как nanogenerators или системы лаборатори-на--обломока.

График иллюстрирует одиночный рядок nanowires (цилиндров с красными верхами) при ребр-форменные nanowalls удлиняя наружу. Изображение просвечивающего электронного микроскопа показывает 4 прозванного рядка nanowires и их соответствуя nanowalls, «nano СИД» потому что они испускает свет когда электрически поручено. Расстояние через микрорисунок приблизительно диаметр человеческих волос. Кредит: NIST

Nanowires типично «растется» контролируемым низложением окиси молекул-цинка, для пример-от газа на основное вещество, вызванный процесс низложением химического пара (CVD). Большинств методы CVD формируют nanowires которые поднимают вертикально от поверхности как щетинки щетки. Потому Что провод только контактирует субстрат на одном конце, он клонит не делить характеристики с чертой субстрата менее-чем-предпочитаемой материалом- потому что точный состав nanowire после этого будет трудн для того чтобы определить. Вертикальный рост также производит плотную пущу nanowires, делающ его трудным найти и переместить индивидуальные проводы главного качества. Для того чтобы исправить эти недостатки, химики Babak Nikoobakht NIST и Андрю Herzing начали «поверхност-направленный» метод для расти nanowires горизонтально через субстрат (см. «Удар Техника NIST Изготовления Прибора Nanowire Промышленн-Степени Демонстраций NIST», 25-ое октября 2007, на http://www.nist.gov/public_affairs/techbeat/tb2007_1025.htm#nanowire).

Как много методов CVD вертикального роста, метод изготовления NIST использует золото как катализатор для кристаллического образования. Разница что золото депозированное в методе NIST нагрето до 900 градус цельсий (1.652 градуса Градуса Фаренгейта), преобразовывая его к nanoparticle который служит как место и средство роста для кристаллизации молекул окиси цинка. По Мере Того Как окись цинка nanocrystal растет, она нажимает nanoparticle золота вдоль поверхности субстрата (в этих эксперименте, нитриде галлия) для того чтобы сформировать nanowire которое растет горизонтально через субстрат и поэтому показывает свойства сильно влияемые на своим основным веществом.

В недавней работе опубликованной в ACS Nano, * Nikoobakht и Herzing увеличили толщину nanoparticle катализатора золота от меньш чем 8 нанометров до приблизительно 20 нанометров. Изменение привело к в nanowires которые росли вторичная структура, a акул-как «надфюзеляжный киль» (названный «nanowall ") где часть окиси цинка электрон-богатые люди и часть нитрида галлия электрон-плох. Интерфейс между эти материал-знанным 2 по мере того как p-n гетеропереход-позволяет электронам для того чтобы пропустить через его когда комбинация nanowire-nanowall была поручена с электричеством. В свою очередь, движение электронов произвело свет и вело исследователей даровать титул ему «nano СИД.»

Не Похож На предыдущие методы для производить гетеропереходы, метод изготовления NIST «поверхност-направленный» делает его легким обнаружить местонахождение индивидуальные гетеропереходы на поверхности. Эта характеристика специально полезна когда большое количество гетеропереходов необходимо собрать в блок так, что их можно электрически поручить как светоиспускающий блок.

Рассмотрение (TEM) Просвечивающего электронного микроскопа nanowires и nanowalls нитрида окис-галлия цинка показало немногие структурные дефекты в nanowires и очень определенные гетеропереходы p-n в nanowalls, обе аффирмации эффективности NIST «поверхности направили» метод изготовления.

Nikoobakht и Herzing надеются улучшить nano СИД в будущих экспериментах используя более лучшие конструкции геометрии и материала, и после этого прикладываются их в развитии источников света и детекторов полезных в фотонных приборах или платформах лаборатори-на--обломока.

* B. Nikkoobakht и A. Herzing. Образование плоскостных блоков одноразмерных гетеропереходов p-n используя поверхност-направленный рост nanowires и nanowalls. ACS Nano. Опубликованный он-лайн SEPT. 15, 2010.

Last Update: 12. January 2012 04:11

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit