El Grupo de EV (EVG), un surtidor de cabeza del equipo de la vinculación y de la litografía del fulminante para MEMS, nanotecnologÃa y mercados del semiconductor, anunciaron hoy que ha recibido una orden de la Universidad de Tokio para su sistema megasonic de la limpieza del fulminante EVG301 para la investigación del semiconductor compuesto. Instalado en Takagi de la universidad y el Laboratorio de Takenaka, la nueva herramienta se centra en la preparación de una superficie partícula-libre del fulminante para pegar los materiales de III-V, tales como arseniuro de galio, fosfuro de indio, y arseniuro de galio del indio, (GaAs, INP, e InGaAs), a las obleas de silicio. El sistema aumenta la investigación del laboratorio centrada en desarrollar los transistores nuevos del semiconductor que incorporan los materiales del semiconductor compuesto para que los dispositivos integrados (LSI) en grande venzan las limitaciones introducidas con la graduación a escala más allá del nodo de 22 nanómetro usando el silicio tradicional.
“La miniaturización de los dispositivos de semiconductor está alcanzando sus limitaciones físicas, y la graduación a escala tradicional conforme a la ley de Moore no es bastante suficiente dirigir las demandas futuras para dispositivos de LSI de ejecución más altos,” el Dr. conocido Masafumi Yokoyama, Investigador en el Takagi y Laboratorio de Takenaka con la Universidad de Tokio. “Como tal, hemos estado evaluando los nuevos materiales, tales como pastas de III-V, con silicio en esfuerzo de crear los nuevos descubrimientos de la investigación que dirigirán demandas del funcionamiento del dispositivo en la era de la poste-graduación a escala. En apoyo de nuestros esfuerzos, adoptamos el producto de limpieza de discos megasonic del fulminante del Grupo de EV, el EVG301, para ayudarnos a lograr los bonos del fulminante de la calidad superior que son nulo-libres.”
Comentando respecto al aviso de hoy, Yuichi Otsuka, Director Representativo del Grupo Japón K.K. de EV, dijo, “Estamos contentos para que esta oportunidad utilice la Universidad de la investigación marginal del dispositivo de la LSI de Tokio. El Laboratorio de Takagi y de Takenaka se invierte en un área de investigación vital dada las limitaciones las superficies de la industria del semiconductor con la graduación a escala tradicional usando el silicio solamente. Hemos sido siempre un partidario importante del trabajo de R&D, que fundaron el Grupo de EV sobre, y continuamos proporcionar a permitir a tecnologías avance la innovación.”
Para continuar cubrir las demandas del consumidor para una potencia más inferior que consume, más arriba la ejecución, y virutas de funcionamiento más altas, la industria del semiconductor está evaluando las ventajas de incorporar los nuevos materiales con silicio-más allá de los fulminantes silicio-basados puros. Esta rotación está pavimentando la manera para el incremento del mercado futuro de semiconductores compuestos, así como tecnologías de fabricación más eficientes de lograr funcionamiento máximo del fin-dispositivo. Por ejemplo, los procesos del MOCVD, donde una película fina del material de II-VI o de III-V es depositada por incremento heteroepitaxial, pueden dar lugar a la formación contraria del fulminante. Esto comprende la integridad de la superficie del fulminante y afecta final funcionamiento del fin-dispositivo. La vinculación del Fulminante es una solución prometedora a superar este problema. Esencial para la integridad de la vinculación del fulminante es la necesidad de una superficie de vinculación partícula-libre. La limpieza del Fulminante es por lo tanto crítica a asegurar la superficie del fulminante está libre de cualquier claro creado por las partículas que pueden afectar negativo la calidad del bono del fulminante y de la uniformidad total del fulminante.