EV 組 (EVG)，薄酥餅 MEMS 的，納米技術和半導體市場接合和石版印刷設備的主導的供應商，今天宣佈它從東京大學其 EVG301 megasonic 薄酥餅清潔系統的收到了訂單化合物半導體研究的。 安裝在大學的 Takagi & Takenaka 實驗室，新工具集中於微粒自由的薄酥餅表面為結合 III-V 材料做準備，例如砷化鎵、磷化銦和銦砷化鎵， (GaAs、 InP 和 InGaAs)，與硅片。 這個系統增添於發展新穎的半導體晶體管集中的實驗室的研究合併大規模集成設備的化合物半導體 (LSI)材料能解決限制引入與在這個 22 nm 節點之外的比例縮放使用傳統硅。
「半導體設備的小型化到達其實際限制，并且根據穆爾的法律的傳統比例縮放不是足够滿足論及對更高的執行的 LSI 設備的將來的需求」，註釋的博士 Masafumi Yokoyama， Takagi 的研究員 & 有東京大學的 Takenaka 實驗室。 「同樣地，我們評估新的材料，例如 III-V 化合物，與在工作成績的硅創建在之後比例縮放時代內將論及設備性能需求的新的研究突破。 支持我們的工作成績，我們採用 EV 組的 megasonic 薄酥餅擦淨劑， EVG301，幫助我們達到優秀品質是無效自由的薄酥餅債券」。
評論對今天聲明， Yuichi Otsuka， EV 組日本 K.K. 的有代表性的主任，說， 「我們是喜悅的為了此機會能支持東京的前進 LSI 設備研究大學。 Takagi & Takenaka 實驗室在使用單獨硅產生的限制與傳統比例縮放的半導體行業表面一個重要研究領域被投資。 我們總是 R&D 工作一個重大的支持者， EV 組建立，并且繼續提供使技術提前創新」。
要繼續適應對消耗的低功率的顧客需求，執行和高更高的發揮作用的籌碼，半導體行業評估合併與硅在純基於硅的薄酥餅之外的新的材料的福利。 此班次鋪平道路化合物半導體期貨市場增長的，以及更加高效的製造技術完成最大結束設備性能。 例如， MOCVD 進程， II-VI 或 III-V 材料薄膜由 heteroepitaxial 增長存款，可能導致不一致的薄酥餅形成。 這包括完整性薄酥餅表面和根本地影響結束設備性能。 薄酥餅接合是一個有為的解決方法對克服此問題。 重要的對薄酥餅接合完整性是需要對於微粒自由的接合表面。 因此薄酥餅清潔對保證薄酥餅表面至關重要免於可能負影響薄酥餅債券和整體薄酥餅均一的質量的微粒創建的所有無效。