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Posted in | Nanoelectronics

國際研究員討論方法 16 的毫微米和在加工技術之外

Published on October 14, 2010 at 5:32 AM

最近第 7 個每年國際專題討論會的參與者在先進的實施的先進的邏輯和存儲技術門棧技術討論方法子16 nm 節點的和在加工技術之外。

討論會,主持由 SEMATECH,從共享新發現的行業和學術界得出了超過以遠 100 位國際研究員和 16 毫微米技術生成的概述的新的門棧方法和。

「我們非常滿意對全球參與這個會議和對這個結果 - 在解決方法的探險功能棧的將來的設備的」, SEMATECH 的主任說保羅 Kirsch,期初進程。 「討論會的成功可以歸因於其參與者和他們的研究發現的廣度和深度。 SEMATECH 將繼續合作地與關於重要問題的行業一起使用在擴大 CMOS 邏輯和存儲技術」。

報道的技術是硅、硅鍺、 III-V 高性能 MOSFETs (SiGe)、金屬/高k/金屬棧的高k/金屬門棧阻力更改內存、閃存和相變內存的。

關鍵觀察包括:

  • 進展在 Ge 和 III-V 交替信道物質設備取得,雖然有在討論會參與者中的通用確認書此區將要求更多工作成績和更多資源展示 manufacturable 解決方法。
  • 多種贈送者解決了在 Si 的, SiGe 高的 k 金屬門和內存的功能棧挑戰一樣很好圍繞的邏輯像對 III-V 高性能 MOSFETs 的關心。
  • 參與者的共識是,雖然有解決的許多障礙,垂直疊加似乎持續的稱的最有為的路。
  • 要抵銷在比例縮放的減速和達到均一和地址可靠性,固定存儲器更新,更加創新的材料和切換結構需要進一步調查。

其他發現被透露在討論會:

  • 主要贈送者,從 Intel 的技術和製造的組和 Macronix 為平面和非平面的設備提供晶體管在 15 毫微米節點之外的比例縮放選項全面概覽和固定存儲器的挑戰包括浮動的門。
  • 高k/金屬門進程問題由索尼,東芝, IBM 討論,并且 GLOBALFOUNDRIES,顯示發行與棧比例縮放。
  • 加州大學的安德魯建議的 Kummel,聖迭戈討論密度功能 (DFT)原理模擬實用的路改進高的 k 氧化物的質量在 Ge 和 III-V 界面的。
  • 在湧現的內存發展範圍,阻力更改內存認為其中一名內存的下一代的最有為的候選人。 多種材料、選擇者設備和結構被陳列了。 橫臂結構為將來的內存討論。
  • 在空轉扭矩調用 (STTRAM) 的印象深刻的進展由 Grandis、 Everspin 和弗吉尼亞大學討論。
  • 幾個介紹在 2020年測試新或替代材料和結構在 CMOS 設備之外,包括電子空轉設備、 graphene 和 nanowire 晶體管。 加州大學洛杉磯分校的 Kang Wang 教授報告高效的空轉射入到 Ge 裡認識到使用氧化鎂 (MgO)和為空轉調用扭矩被優選。

在先進的門棧技術的國際專題討論會是 SEMATECH 知識串聯,一套公共,被設計的單一集中的行業會議的一部分增加全球知識在半導體 R&D 關鍵區。

來源: http://www.sematech.org/

Last Update: 26. January 2012 08:09

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