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Posted in | Nanoelectronics

Samsung Electronics kündigt Produktion von 20nm-Class 64GB 3-Bit NAND Flash

Published on October 14, 2010 at 5:49 AM

Samsung Electronics Co., Ltd, dem weltweit führenden Anbieter von fortschrittlichen Speicher-Technologie, gab heute die industrieweit erste Produktion eines 3-Bit-Zelle (3bit), mit 64 Gigabit (Gb) NAND-Flash 20 Nanometer (nm)-Klasse-Prozesstechnologie . Die hoch entwickelte neue Chip kann in High-Density-Flash-Lösungen wie USB-Flash-Laufwerken (UFDs) und Secure Digital (SD)-Speicherkarten verwendet werden.

"Samsung hat wiederholt den Markt mit hochmodernen NAND-Flash-Lösungen, einschließlich der Einführung von 30nm-Klasse, 32-GB-3-Bit-NAND-Flash im November letzten Jahres zur Verfügung gestellt", sagte Seijin Kim, Vice President, Flash Memory Planning / Aktivieren, Samsung Electronics. "Mit der jetzt in die volle Produktion der 20nm-Class 64GB 3-Bit-Geräten erwarten wir, dass die Annahme unserer High-Performance-NAND-Lösungen, die Toggle DDR-Technologie, Verwendung für Anwendungen, die erfordern auch High-Density NAND beschleunigen."

Die Verfügbarkeit der Speicherdichte so hoch wie acht Gigabyte (64 GB) in einem einzigen Chip löst breite Akzeptanz Toggle DDR-basierte High-Performance-Flash in UFDs und SD-Karten, sowie Smartphones und SSDs, dass beim Austausch letzten vier Gigabyte ( 32GB) Geräte auf dem Markt.

Samsungs 20nm-Klasse, 64 GB 3-Bit NAND hat eine 60 Prozent höhere Produktivität Niveau als 30nm-Klasse, 32-GB-3-Bit-NAND. Das Gerät bietet auch eine verbesserte Performance durch Toggle DDR (Double Data Rate) 1,0 Spezifikationen, im Vergleich zu denen des SDR (Single Data Rate) auf 30nm-Klasse NAND-Chips.

Nach der Produktion von 20nm-Class 32GB MLC NAND im April erweitert Samsung seine Produktpalette auf der Spitzentechnologie 20nm-Klasse Prozess Knoten mit der Einführung der 20nm-Class 64GB 3-Bit-NAND.

Quelle: http://www.samsung.com/

Last Update: 3. October 2011 07:47

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