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Samsung Electronics Anuncia la Producción de Destello de 20nm-Class 64Gb 3-Bit NAND

Published on October 14, 2010 at 5:49 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., el líder mundial en la tecnología de memoria avanzada, anunciada hoy la primera producción de una dígito-célula 3 (3bit), destello de la industria de 64 (Gb) gigabites NAND usando tecnología (nm) de proceso de 20 nanómetro-clases. La nueva viruta altamente avanzada se puede utilizar en soluciones de destello de alta densidad tales como tarjetas de memorias USB (UFDs) de USB y (SD) de memoria de Secure Digital.

“Samsung ha proveído en varias ocasiones del mercado las soluciones marginales del destello del NAND, incluyendo la introducción de 30nm-class, 32Gb 3 destello del dígito binario NAND el pasado noviembre,” dijo a Seijin Kim, vicepresidente, Hojas De Operación (planning) de Memoria Flash/Activação, Samsung Electronics. “Ahora entrando en la producción completa de dispositivos del dígito binario de 20nm-class 64Gb 3, preveemos acelerar la adopción de nuestras soluciones de alto rendimiento del NAND que utilicen tecnología De Palanca de RDA, para las aplicaciones que también requieren el NAND de alta densidad.”

La disponibilidad de la densidad del almacenamiento de hasta ocho gigabytes (64Gb) en una única viruta accionarán la aceptación dispersa del destello de alto rendimiento RDA-basado Palanca Acodada en UFDs y las Tarjetas SD, así como teléfonos elegantes y SSDs, mientras que reemplaza los cuatro dispositivos anteriores del gigabyte (32Gb) en el mercado.

El 20nm-class de Samsung, 64Gb 3 dígito binario NAND tiene un nivel del 60 por ciento más alto de la productividad que 30nm-class, 32Gb 3 dígito binario NAND. El dispositivo también ofrece funcionamiento mejorado aplicando la Palanca Acodada RDA (Tipo de Datos Doble) 1,0 pliegos de condiciones, comparados a los de las virutas basadas del SDR (Único Tipo de Datos) 30nm-class NAND.

Después de la producción de 20nm-class 32Gb MLC NAND en abril, Samsung despliega sus ofertas de productos en el nodo marginal del proceso 20nm-class con la introducción del dígito binario NAND de 20nm-class 64Gb 3.

Fuente: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 02:42

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