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三星电子宣布生产20纳米级64GB 3位的NAND闪存

Published on October 14, 2010 at 5:49 AM

先进的内存技术的世界领先地位,三星电子有限公司,今天宣布3位单元(3bit)行业的第一家生产,64千兆(GB)NAND快闪记忆体使用20纳米(nm)级工艺技术。非常先进的新芯片可用于高密度的闪存解决方案,如USB闪存驱动器(个UFD)和安全数字(SD)记忆卡。

“三星曾多次提供市场领先的NAND闪存解决方案,包括引入30纳米级,32GB的3位NAND闪存在去年十一月,说:”Seijin金,副总裁,快闪记忆体规划/启用,三星电子。 “现在进入到20纳米级64GB 3位设备满负荷生产,我们希望加快采用高性能的NAND解决方案,使用切换DDR技术,应用程序,还需要高密度NAND。”

8千兆字节(64GB)的单芯片的高可用性的存储密度会触发切换解除武装,复员和重返社会为基础的高性能闪个UFD和SD卡,以及智能手机和SSD的广泛接受,而取代以前的四个千兆字节( 32GB)的设备市场。

三星的20nm的类,64GB 3位的NAND生产力水平高出60%,比30纳米级32GB 3位NAND的。该器件还提供了改进的性能,应用切换DDR(双数据率)1.0规范,SDR(单数据率)基于30纳米级NAND芯片相比。

继4月份生产20纳米级32GB的MLC NAND,三星扩大其产品在领先的20纳米级引进的20纳米级64GB 3位的NAND工艺节点。

来源: http://www.samsung.com/

Last Update: 20. October 2011 10:43

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