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Posted in | Nanoelectronics

三星電子宣佈 20nm 班的 64Gb 3 位與非閃光的生產

Published on October 14, 2010 at 5:49 AM

三星電子 Co.,有限公司,世界領導人在先進的存儲技術,今天宣佈 3 位細胞 (3bit) 的行業的第一個生產,使用 20 (Gb) 毫微米班的加工技術的 64 (nm) 吉比特與非閃光。 高度先進的新的籌碼可以用於高密度一刹那解決方法例如 USB 閃光驅動器 (UFDs)和鞏固數字式 (SD)存儲卡。

「三星重複提供這個市場以前進與非閃光解決方法,包括簡介 30nm 班, 32Gb 3 位與非一刹那上 11月」, Seijin 金,啟用副總統,閃存計劃/說,三星電子。 「現在開始 20nm 班的 64Gb 3 位設備的充分的生產,我們期望加速使用乒乓鍵 DDR 技術我們的高性能與非解決方法的採用,也要求高密度與非的應用的」。

存貯密度的可用性,高達八十億字節 (64Gb) 在一個唯一籌碼將觸發觸發器在 UFDs 和 SD 看板卡的基於 DDR 的高性能閃光普遍接受,以及巧妙的電話和 SSDs,當在市場上替換早先四個十億字節 (32Gb) 時設備。

20nm 班的三星的, 64Gb 3 位與非比 30nm 班有 60% 更高的生產率水平, 32Gb 3 位與非。 設備通過應用觸發器也提供被改進的性能 DDR (雙數據傳輸比) 1.0 說明,與那些 SDR (唯一數據傳輸比) 基於 30nm 班的與非籌碼比較。

在 20nm 班的 32Gb 之後 MLC 與非的生產在 4月,三星擴展其產品供應在與 20nm 班的 64Gb 3 位與非的簡介的前進 20nm 班的處理節點。

來源: http://www.samsung.com/

Last Update: 26. January 2012 08:09

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