三星電子 Co.，有限公司，世界領導人在先進的存儲技術，今天宣佈 3 位細胞 (3bit) 的行業的第一個生產，使用 20 (Gb) 毫微米班的加工技術的 64 (nm) 吉比特與非閃光。 高度先進的新的籌碼可以用於高密度一刹那解決方法例如 USB 閃光驅動器 (UFDs)和鞏固數字式 (SD)存儲卡。
「三星重複提供這個市場以前進與非閃光解決方法，包括簡介 30nm 班， 32Gb 3 位與非一刹那上 11月」， Seijin 金，啟用副總統，閃存計劃/說，三星電子。 「現在開始 20nm 班的 64Gb 3 位設備的充分的生產，我們期望加速使用乒乓鍵 DDR 技術我們的高性能與非解決方法的採用，也要求高密度與非的應用的」。
存貯密度的可用性，高達八十億字節 (64Gb) 在一個唯一籌碼將觸發觸發器在 UFDs 和 SD 看板卡的基於 DDR 的高性能閃光普遍接受，以及巧妙的電話和 SSDs，當在市場上替換早先四個十億字節 (32Gb) 時設備。
20nm 班的三星的， 64Gb 3 位與非比 30nm 班有 60% 更高的生產率水平， 32Gb 3 位與非。 設備通過應用觸發器也提供被改進的性能 DDR (雙數據傳輸比) 1.0 說明，與那些 SDR (唯一數據傳輸比) 基於 30nm 班的與非籌碼比較。
在 20nm 班的 32Gb 之後 MLC 與非的生產在 4月，三星擴展其產品供應在與 20nm 班的 64Gb 3 位與非的簡介的前進 20nm 班的處理節點。
來源： http://www.samsung.com/