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Posted in | Nanoelectronics

Mikroelektronik-Industrie der Europäischen Macht, zum von LETZTEM Energieprojekt Zu Profitieren

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Die Partner in einem neuen öffentlich finanzierten Europäischen Forschungsprojekt kündigten heute Details des multinationalen/multidisziplinären Programms an, das LAST POWER genannt wurde ('Silikonkarbid Substratflächen des Großen Gebiets und heTeroepitaxial GaN für Starkstromgerätanwendungen).

Das Ziel dieses wichtigen 42-monatigen Projektes ENIAC (Europäer Nanoelectronics-Initiativen-Beirat) ist, Europa mit strategischer Unabhängigkeit zu versehen auf dem Gebiet von breiten Bandabstands (WBG)halbleitern. Dieser Bereich ist von bedeutender strategischer Wichtigkeit, während er die Entwicklung von in hohem Grade Energiesparenden Anlagen für alle Anwendungen, die Leistung, von der Telekommunikation zu Automobil, von der Unterhaltungselektronik zu den elektrischen Haushaltsgeräten benötigen, und von den industriellen Anwendungen zur Hausautomation miteinbezieht.

Das Konsortium entwickelt Europäische Technologie für die komplette Produktionskette für die Halbleiterbauelemente, die mit Sic aufgebaut werden (Silikon-Karbid) und heteroepitaxial GaN (Gallium-Nitrid auf Siliziumscheiben). Diese Materialien mit zwei Halbleitern bieten die höhere Drehzahl, aktuelle Fähigkeit, Durchbruchsspannung und thermische Fähigkeit an, die mit herkömmlichen Silikontechnologien verglichen werden.

„Der Leistungshalbleitermarkt, der ungefähr 30% des Gesamthalbleitermarktes darstellt, wird eingestellt, um in Erwiderung auf die ständig steigende Nachfrage nach Energiesparenderen Einheiten beträchtlich zu ändern,“ sagte Projektkoordinator Salvatore Coffa, Gruppen-Vizepräsidenten und R&D Generaldirektor, Industrieller und Multisegment-Sektor, STMicroelectronics. „Dieses Schlüsselprojekt, dem Ziele strategische Unabhängigkeit auf dem auftauchenden Gebiet von Sic und GaN-Technologien befestigen, legt Europa an der vordersten Reihe von Energiesparenden Einheiten.“

Das Gesamtlernziel des Projektes ist, eine kosteneffektive und zuverlässige Integration von Sic und GaN-vorangebracht zu entwickeln Halbleiter in der Mikroelektronikindustrie der Europäischen Macht. Dieses wird über fünf spezifische Lernziele erzielt:

  • Wachstum des großen Gebiets (150mm) Sic und der hohen Qualität heteroepitaxial GaN auf 150mm Siwafers, über dem aktuellen weltweiten hochmodernen für Substratflächen, Epitaxie und Vorbereiten der Oberfläche hinaus;
  • Entwicklung von neuen engagierten Geräten für materielle Wachstum, Kennzeichnung und das Aufbereiten;
  • Aufbereiten von zuverlässigem und von effizientem Sic und GaN-Einheiten auf 150mm Wafers;
  • Zu leistungsstarke Einheiten mit Eigenschaften demonstrieren, die nicht auf Si, einschließlich einen MOSFET 1200V/100A, Sic JFET Sic erreicht werden können, die zum Betrieb von bis 250 Grad C und GaN HEMT-Einheiten für Leistungsschaltung fähig sind;
  • Zu hoch entwickelte Pakete für Hochtemperatureinheiten entwickeln und Einheitszuverlässigkeit verbessern.

Quelle: http://www.st.com/

Last Update: 11. January 2012 20:39

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