Posted in | Nanoelectronics

Ευρωπαϊκή δύναμη Μικροηλεκτρονική βιομηχανία να επωφεληθεί από τελευταίο έργο POWER

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Οι εταίροι σε μια νέα δημόσια χρηματοδοτούμενη ευρωπαϊκό ερευνητικό πρόγραμμα που ανακοίνωσε σήμερα τις λεπτομέρειες της πολυεθνικής / διεπιστημονικό πρόγραμμα που ονομάζεται LAST POWER («Μεγάλη Περιοχή καρβίδιο του πυριτίου υποστρώματα και επιταξιακών GaN για εφαρμογές της συσκευής POWER).

Ο σκοπός αυτού του σημαντικού 42 μηνών ENIAC (ευρωπαϊκή πρωτοβουλία για τη νανοηλεκτρονική Γνωμοδοτικό Συμβούλιο) του έργου είναι να παρέχει την Ευρώπη με την στρατηγική ανεξαρτησία στον τομέα της ευρύ χάσμα ζωνών ημιαγωγούς (WBG). Το πεδίο αυτό είναι μείζονος στρατηγικής σημασίας, δεδομένου ότι περιλαμβάνει την ανάπτυξη της υψηλής ενεργειακής απόδοσης συστήματα για όλες τις εφαρμογές που απαιτούν δύναμη, από τις τηλεπικοινωνίες σε αυτοκίνητα, από ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης σε ηλεκτρικές οικιακές συσκευές, καθώς και από βιομηχανικές εφαρμογές σε οικιακού αυτοματισμού.

Η κοινοπραξία θα αναπτύξει ευρωπαϊκή τεχνολογία για την πλήρη αλυσίδα παραγωγής για τις συσκευές ημιαγωγών χτισμένο με SiC (καρβίδιο του πυριτίου) και επιταξιακών GaN (νιτρίδιο του γαλλίου για γκοφρέτες πυριτίου). Αυτά τα δύο υλικά ημιαγωγών προσφέρουν υψηλότερη ταχύτητα, ικανότητα, τάση διάσπασης και θερμική αντοχή σε σύγκριση με τις συμβατικές τεχνολογίες πυριτίου.

"Η αγορά των ημιαγωγών ισχύος, η οποία αντιπροσωπεύει περίπου το 30% της συνολικής αγοράς ημιαγωγών, πρόκειται να αλλάξει σημαντικά ως απάντηση στην ολοένα και αυξανόμενη ζήτηση για περισσότερο ενεργειακά αποδοτικές συσκευές», δήλωσε ο συντονιστής του έργου Salvatore Coffa, αντιπρόεδρος του γκρουπ και την Ε & Α Γενική Διευθυντής, Τομέας Βιομηχανικής και Multisegment, STMicroelectronics. "Αυτό το κλειδί του έργου, η οποία στοχεύει Διασφάλιση στρατηγικής ανεξαρτησίας στον αναδυόμενο τομέα του SiC και GaN τεχνολογίες, θα τοποθετήσουν την Ευρώπη στην πρώτη γραμμή των ενεργειακά αποδοτικών συσκευών."

Ο γενικός στόχος του προγράμματος είναι να αναπτύξει μια οικονομικά αποδοτική και αξιόπιστη ολοκλήρωση προηγμένων SiC και GaN ημιαγωγών στην ευρωπαϊκή βιομηχανία ενέργειας της μικροηλεκτρονικής. Αυτό θα επιτευχθεί μέσω πέντε ειδικών στόχων:

  • Η ανάπτυξη της ευρύτερης περιοχής (150mm) SiC και υψηλής ποιότητας επιταξιακών GaN για 150 χιλιοστά γκοφρέτες Si, πέρα ​​από την τρέχουσα παγκόσμια state-of-the-art για την προετοιμασία υποστρωμάτων, επιταξία και επιφάνεια?
  • Ανάπτυξη νέων αφιερωμένο εξοπλισμού για την ανάπτυξη υλικών, τον χαρακτηρισμό και την επεξεργασία?
  • Η επεξεργασία αξιόπιστων και αποτελεσματικών SiC και GaN συσκευές σε 150 χιλιοστά γκοφρέτες?
  • Για να αποδείξει υψηλής απόδοσης συσκευών με ιδιότητες που δεν μπορεί να ληφθεί κατόπιν Si, συμπεριλαμβανομένου ενός MOSFET 1200V/100A SiC, SiC JFET σε θέση να λειτουργούν μέχρι 250 βαθμούς C, και GaN ΗΕΜΤ συσκευές για τη διακοπή ρεύματος?
  • Η ανάπτυξη προηγμένων πακέτων για υψηλές θερμοκρασίες-συσκευές και να βελτιωθεί η αξιοπιστία της συσκευής.

Πηγή: http://www.st.com/

Last Update: 3. October 2011 08:38

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit