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Posted in | Nanoelectronics

Industria de la Microelectrónica de la Potencia Europea A Beneficiarse del Proyecto de POTENCIA PASADO

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Los socios en un nuevo proyecto de investigación Europeo de financiación pública anunciaron hoy los detalles del programa multinacional/multidisciplinario llamado LAST POWER ('los Substratos del carburo de silicio de la Área Extensa y GaN heTeroepitaxial para las aplicaciones del dispositivo de POTENCIA).

El objetivo de este 42 proyecto importante del mes ENIAC (el Consejo Asesor Preliminar de Nanoelectronics del Europeo) es proveer de Europa independencia estratégica en el campo de los semiconductores anchos de la separación (WBG) de banda. Este campo es de importancia estratégica importante mientras que implica el revelado de los sistemas altamente económicos de energía para todas las aplicaciones que necesiten potencia, de telecomunicaciones a automotor, de los productos electrónicos de consumo a los aparatos electrodomésticos eléctricos, y de aplicaciones industriales a la automatización casera.

El consorcio desarrollará la tecnología Europea para el encadenamiento completo de la producción para los dispositivos de semiconductor construidos con Sic (Carburo de Silicio) y GaN heteroepitaxial (Nitruro del Galio en las obleas de silicio). Estos materiales de dos semiconductores ofrecen una velocidad más alta, la capacidad actual, el voltaje de ruptura y la capacidad térmica comparados a las tecnologías convencionales del silicio.

“El mercado del semiconductor de la potencia, que representa el aproximadamente 30% del mercado total del semiconductor, se fija para cambiar importante en respuesta a la demanda cada vez mayor para dispositivos más económicos de energía,” dijo el Coffa de Salvador del coordinador de proyecto, el Vicepresidente del Grupo y Sector Director General del R&D, Industrial y de Multisegment, STMicroelectronics. “Este proyecto dominante, que las metas aseguran independencia estratégica en el campo emergente de las tecnologías Sic y de GaN, colocará Europa en la vanguardia de dispositivos económicos de energía.”

El objetivo total del proyecto es desarrollar una integración de poco costo y segura de avance los semiconductores Sic y de GaN en la industria de la microelectrónica de la Potencia europea. Esto será lograda vía cinco objetivos específicos:

  • Incremento de la área extensa (150m m) Sic y de GaN heteroepitaxial de alta calidad en los fulminantes de 150m m Si, más allá del estado actual a nivel mundial actual para los substratos, la epitaxia y la preparación superficial;
  • Revelado de los nuevos equipos dedicados para el incremento, la caracterización y el tramitación materiales;
  • Tramitación de seguro y de eficiente dispositivos Sic y de GaN en los fulminantes de 150m m;
  • Para demostrar los dispositivos de alto rendimiento con las propiedades que no se pueden obtener en el Si, incluyendo Sic un MOSFET 1200V/100A, Sic JFET capaces de operatorio hasta 250 grados los dispositivos del HEMT de C, y de GaN para la transferencia de la potencia;
  • Para desarrollar los conjuntos avanzados para los dispositivos de las temperaturas altas y mejorar confiabilidad del dispositivo.

Fuente: http://www.st.com/

Last Update: 11. January 2012 20:55

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