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Europeu de Energia Indústria Microelectronics se beneficiarão do projeto de alimentação por último

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Os parceiros em um novo projeto de pesquisa com financiamento público Europeia anunciou hoje os detalhes do programa de multinacionais / multidisciplinar chamado último poder ('Large Area carboneto de silício Substratos e heTeroepitaxial GaN para aplicações em dispositivos POWER).

O objetivo deste ENIAC 42 meses importante (European nanoelectrónica Initiative Advisory Council) do projeto é dotar a Europa com a independência estratégica no campo da lacuna de banda larga (GBM) semicondutores. Este campo é de grande importância estratégica, pois envolve o desenvolvimento de sistemas de alta eficiência energética para todas as aplicações que precisam de energia, de telecomunicações para automóvel, da electrónica de consumo para aparelhos electrodomésticos, e de aplicações industriais para automação residencial.

O consórcio vai desenvolver tecnologia européia para a cadeia de produção completa para dispositivos semicondutores construídos com SiC (carbeto de silício) e GaN heteroepitaxial (Nitreto de Gálio em wafers de silício). Estes dois materiais semicondutores oferecem maior velocidade, capacidade de corrente, tensão de ruptura e capacidade térmica em relação às tecnologias convencionais de silício.

"O mercado de semicondutores de potência, o que representa aproximadamente 30% do mercado de semicondutores em geral, vai mudar significativamente em resposta à demanda sempre crescente de dispositivos mais eficientes em termos energéticos", disse a coordenadora do projeto Salvatore Coffa, vice-presidente e R & D Geral gerente, Industrial e Setor multisegment, STMicroelectronics. "Este projecto, essencial, que visa garantir a independência estratégica no campo emergente de SiC e tecnologias de GaN, vai colocar a Europa na vanguarda da eficiência energética de dispositivos."

O objetivo geral do projeto é desenvolver uma integração eficaz e confiável de SiC avançados e semicondutores GaN na indústria europeia de energia microeletrônica. Isto será alcançado através de cinco objetivos específicos:

  • Crescimento de área grande (150mm) SiC e de alta qualidade GaN em wafers de 150 milímetros heteroepitaxial Si, além do atual nível mundial state-of-the-art para a preparação de substratos epitaxia, e de superfície;
  • Desenvolvimento de novos equipamentos dedicados para o crescimento material, caracterização e processamento;
  • Processamento de SiC confiável e eficiente e dispositivos de GaN em 150 milímetros wafers;
  • Para demonstrar a alta performance de dispositivos com propriedades que não podem ser obtidos em Si, incluindo um MOSFET SiC 1200V/100A, SiC JFET capaz de operar até 250 graus C, e dispositivos de GaN HEMT para a mudança de poder;
  • Para desenvolver pacotes avançados de alta temperatura dispositivos e melhorar a confiabilidade do dispositivo.

Fonte: http://www.st.com/

Last Update: 10. October 2011 01:32

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