Соучастники в новом общественн-фондированном Европейском научно-исследовательском проекте сегодня объявили детали многонациональной/multidisciplinary вызванной программы ПОСЛЕДН СИЛОЙ ('Субстраты карбида кремния Обширного Района и heTeroepitaxial GaN для применений прибора СИЛЫ).
Цель этого важного 42 проекта месяца ENIAC (Совета Nanoelectronics Европейца Инициативного Консультативного) обеспечить Европу с стратегической независимостью в поле широких полупроводников зазора (WBG) диапазона. Это поле главного стратегического значения по мере того как оно включает развитие сильно с низким энергопотреблением систем для всех применений которым нужна сила, от радиосвязей к автомобильному, от бытовой электроники к бытовым электроприборам, и от промышленных применений к домашней автоматизации.
Консорциум начнет Европейскую технологию для полной цепи продукции для полупроводниковых устройств построенных с SiC (Карбидом Кремния) и heteroepitaxial GaN (Нитридом Галлия на вафлях кремния). Эти материалы 2 полупроводников предлагают более высокую скорость, настоящую возможность, пробивное напряжение и термальную возможность сравненные к обычным технологиям кремния.
«Рынок полупроводника силы, который представляет приблизительно 30% из общего рынка полупроводника, установлен для того чтобы изменить значительно в ответ на everincreasing требование для более с низким энергопотреблением приборов,» сказал Coffa Salvatore координатора проекта, Недостаток Группы - Президент и Генеральный Директор, Промышленные и Multisegment R&D Участок, STMicroelectronics. «Этот ключевой проект, которому цели обеспечивают стратегическую независимость в вытекая поле технологий SiC и GaN, установит Европу на передовой линии с низким энергопотреблением приборов.»
Общая задача проекта начать рентабельное и надежное внедрение предварительных полупроводников SiC и GaN в индустрии микроэлектроники Европейской державы. Это будет достигано через 5 конкретных задач:
- Рост обширного района (150mm) SiC и высокомарочное heteroepitaxial GaN на вафлях 150mm Si, за настоящее всемирное современный для субстратов, эпитаксии и подготовки поверхности;
- Развитие новых преданных оборудований для материальных роста, характеризации и обрабатывать;
- Обрабатывать надежных и эффективных приборов SiC и GaN на вафлях 150mm;
- Продемонстрировать высокопроизводительные приборы с свойствами которые нельзя получить на Si, включая MOSFET 1200V/100A SiC, SiC JFET способного работать до 250 градусов приборы HEMT C, и GaN для переключения силы;
- Начать предварительные пакеты для приборов высок-температур и улучшить надежность прибора.
Источник: http://www.st.com/