Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

Индустрия Микроэлектроники Европейской Державы к Извлекала пользу ПОСЛЕДНИЙ Проект СИЛЫ

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Соучастники в новом общественн-фондированном Европейском научно-исследовательском проекте сегодня объявили детали многонациональной/multidisciplinary вызванной программы ПОСЛЕДН СИЛОЙ ('Субстраты карбида кремния Обширного Района и heTeroepitaxial GaN для применений прибора СИЛЫ).

Цель этого важного 42 проекта месяца ENIAC (Совета Nanoelectronics Европейца Инициативного Консультативного) обеспечить Европу с стратегической независимостью в поле широких полупроводников зазора (WBG) диапазона. Это поле главного стратегического значения по мере того как оно включает развитие сильно с низким энергопотреблением систем для всех применений которым нужна сила, от радиосвязей к автомобильному, от бытовой электроники к бытовым электроприборам, и от промышленных применений к домашней автоматизации.

Консорциум начнет Европейскую технологию для полной цепи продукции для полупроводниковых устройств построенных с SiC (Карбидом Кремния) и heteroepitaxial GaN (Нитридом Галлия на вафлях кремния). Эти материалы 2 полупроводников предлагают более высокую скорость, настоящую возможность, пробивное напряжение и термальную возможность сравненные к обычным технологиям кремния.

«Рынок полупроводника силы, который представляет приблизительно 30% из общего рынка полупроводника, установлен для того чтобы изменить значительно в ответ на everincreasing требование для более с низким энергопотреблением приборов,» сказал Coffa Salvatore координатора проекта, Недостаток Группы - Президент и Генеральный Директор, Промышленные и Multisegment R&D Участок, STMicroelectronics. «Этот ключевой проект, которому цели обеспечивают стратегическую независимость в вытекая поле технологий SiC и GaN, установит Европу на передовой линии с низким энергопотреблением приборов.»

Общая задача проекта начать рентабельное и надежное внедрение предварительных полупроводников SiC и GaN в индустрии микроэлектроники Европейской державы. Это будет достигано через 5 конкретных задач:

  • Рост обширного района (150mm) SiC и высокомарочное heteroepitaxial GaN на вафлях 150mm Si, за настоящее всемирное современный для субстратов, эпитаксии и подготовки поверхности;
  • Развитие новых преданных оборудований для материальных роста, характеризации и обрабатывать;
  • Обрабатывать надежных и эффективных приборов SiC и GaN на вафлях 150mm;
  • Продемонстрировать высокопроизводительные приборы с свойствами которые нельзя получить на Si, включая MOSFET 1200V/100A SiC, SiC JFET способного работать до 250 градусов приборы HEMT C, и GaN для переключения силы;
  • Начать предварительные пакеты для приборов высок-температур и улучшить надежность прибора.

Источник: http://www.st.com/

Last Update: 11. January 2012 20:53

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit