Posted in | Nanoelectronics

Europén Driver MicroelectronicsBransch för att Gynna från JUMBO DRIVER Projekterar

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Partnerna i en ny publicly-betalad Européforskning projekterar i dag meddelat specificerar av multinationellt företag/det tvärvetenskapliga programet som SIST kallas, DRIVER ('för silikoncarbiden för Stort Område Substrates och heTeroepitaxial GaN för POWER apparatapplikationer).

Syftet av denna viktiga 42 månad ENIAC (EuropéNanoelectronics det Begynnelse- Rådgivande Rådet) projekterar är att ge Europa med strategisk självständighet i sätta in av breda musikbandmellanrums (WBG)halvledare. Detta sätter in är av ha som huvudämne strategisk betydelse, som den gäller utvecklingen av högt energi-effektiva system för alla applikationer, som behöver att driva, från telekommunikationar till automatiskt, från konsumentelektronik till elektriska hushållanordningar, och från industriella applikationer för att returnera automation.

Den ska konsortiet framkallar Européteknologi för den färdiga produktionen kedjar för halvledareapparater som byggs med SiC (SilikonCarbide) och heteroepitaxial GaN (GalliumNitride på silikonrån). Dessa material för två halvledare erbjuder rusar higher, strömkapacitet, sammanbrottspänning och termisk kapacitet som jämförs till konventionella silikonteknologier.

”Marknadsför drivahalvledaren, som föreställer ungefärligt 30% av den total- halvledaren marknadsför, är fastställd att ändra markant som svar på den everincreasing begäran för energi-effektivare apparater,”, sade den Industriell och Multisegment Sektoren projekterar koordinatorSalvatore Coffa, GruppVicepresident och för R&D-Generalen Chef, STMicroelectronics. ”Projekterar Detta nyckel-, som uppsätta som mål säker strategisk självständighet i dyka upp sätter in av SiC, och GaN teknologier, ska förlägger Europa på förgrunden av energi-effektiva apparater.”,

Det total- mål av projektera är att framkalla etteffektivt, och pålitlig integration av avancerade SiC- och GaN halvledare i Europén driver microelectronicsbransch. Detta ska uppnås via fem specifika mål:

  • Tillväxt av stort område (150mm) SiC och högkvalitativa heteroepitaxial GaN på 150mm Si rån, det okända den världsomspännande statlig-av--konsten för strömmen för substrates, epitaxy och ytbehandlar förberedelsen;
  • Utveckling av nya hängivna utrustningar för materiell tillväxt, karakterisering och att bearbeta;
  • Bearbeta av pålitliga och effektiva SiC- och GaN apparater på 150mm rån;
  • Att visa kick-kapaciteten apparater med rekvisita, som inte kan erhållas på Si däribland driver en MOSFET för 1200V/100A SiC, SiC JFET som är kapabel av att fungera upp till 250 grader C- och GaN HEMT-apparater för, växling;
  • Att framkalla avancerat paketerar för hög temperaturapparater och förbättrar apparatpålitlighet.

Källa: http://www.st.com/

Last Update: 26. January 2012 17:55

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit