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Posted in | Nanoelectronics

欧洲力量受益于的微电子学行业前电力工程

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

新的公共欧洲研究计划的合作伙伴今天宣布了称 LAST 的这个多国/多重学科的程序的详细资料 POWER (‘大区碳化硅基体和 heTeroepitaxial GaN 功率设备应用的)。

此重要 42 月 ENIAC (欧洲 Nanoelectronics 主动的顾问班子) 项目的目标将提供欧洲以有战略意义的独立宽带隙半导体的域的 (WBG)。 此域是大的战略重要性,当它介入高度省能源的系统的发展需要功率,从电信到汽车,从家电到电子家用电器的所有应用的和从行业应用到家庭自动化。

这个财团将开发完全生产链子的欧洲技术用 SiC (碳化硅) 和 heteroepitaxial GaN 建立的半导体设备的 (在硅片的镓氮化物)。 这两半导体材料提供更高的速度、当前功能、击穿电压和热量功能与常规硅技术比较。

“表示大约 30% 整体半导体市场,设置功率半导体市场极大更改以回应对更加省能源的设备的持续增长的需求”,行业和 Multisegment 说项目协调人萨尔瓦托雷 Coffa、组副总统和 R&D 总经理,部门, STMicroelectronics。 “此关键工程,目标在涌现的获取有战略意义的独立 SiC 和 GaN 技术领域,将安置欧洲在省能源的设备最前方”。

这个项目的整体目的将开发先进的 SiC 和 GaN 半导体的有效和可靠的综合化在欧洲力量微电子学行业的。 这通过五个特定目的将达到:

  • 大 (第150mm区) SiC 和优质 heteroepitaxial GaN 增长在 150mm Si 薄酥饼,在当前全世界科技目前进步水平之外基体、外延和表面处理的;
  • 新的专用的设备的发展物质增长,描述特性和处理的;
  • 处理在 150mm 薄酥饼的可靠和高效的 SiC 和 GaN 设备;
  • 展示有在 Si 不可能获得,包括功率切换的 1200V/100A SiC MOSFET, SiC JFET 能够运行 250 摄氏度和 GaN HEMT 设备的属性的高性能设备;
  • 开发高温设备的先进的程序包和改进设备可靠性。

来源: http://www.st.com/

Last Update: 11. January 2012 19:26

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