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Posted in | Nanoelectronics

歐洲電力微電子行業受益於一次電源項目

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

在公帑資助的新的歐洲研究項目的合作夥伴,今天宣布,稱為一次電源(“大面積碳化矽襯底和異質外延的GaN功率器件應用)的跨國 /跨學科計劃的細節。

這重要的42個月的ENIAC(歐洲納米電子行動顧問委員會)項目的目的是提供在寬禁帶(WBG)半導體領域的戰略獨立的歐洲。這個領域是因為它涉及到高效節能系統,為所有需要電力的應用,從電信到汽車,從消費電子,家電,從工業應用到家庭自動化的發展具有重大戰略意義的。

該財團將歐洲的技術開發與 SiC(碳化矽)和異質外延的GaN(氮化鎵在矽片上)內置的半導體器件的完整的生產鏈。這兩種半導體材料提供更高的速度,電流的能力,擊穿電壓比傳統的矽技術和熱能力。

“的功率半導體市場,即總體半導體市場約 30%,為以改變在應對不斷增加更多的節能設備需求顯著,”說,項目協調員的Salvatore Coffa,集團副總統和ř&ð大會經理,工業和多部門,意法半導體。 “這關鍵的項目,其目標安全戰略的獨立性,在SiC和GaN技術的新興領域,將放置在歐洲的高效節能設備的前列。”

該項目的總體目標是在歐洲電力微電子產業的整合發展的先進 SiC和GaN半導體的成本效益和可靠的。這將是實現通過 5個具體目標:

  • 大面積的增長(150毫米)SiC和高品質氮化鎵異質150毫米矽片上,超越目前全球襯底,外延和表面處理的狀態的,最先進的;
  • 發展新的專用設備,材料生長,表徵和處理;
  • 可靠和有效率的SiC和GaN器件的加工150毫米晶圓;
  • 為了證明不能在Si獲得的屬性,包括一個 1200V/100A碳化矽 MOSFET,SiC JFET的能力高達 250攝氏度的高性能設備,電源開關和GaN HEMT器件;
  • 高溫下的設備要發展先進的封裝和提高設備的可靠性。

來源: http://www.st.com/

Last Update: 19. October 2011 21:38

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