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Posted in | Nanoelectronics

SEMATECH-Ingenieure, zum von Hoch entwickelten Nanowire-FETs an IEDM-Ereignis Zu Markieren

Published on November 9, 2010 at 4:12 AM

Aufschlussreiche Forschungsdurchbrüche, Ingenieure vom Vorderseite-Prozessprogramm (FEP) SEMATECHS stellen technische Referate an den 56. jährlichen Internationalen Elektron-Einheiten IEEE dar, die sich vom 6. bis 8. Dezember 2010 (IEDM), am Hilton in San Francisco, CA Treffen.

SEMATECH-Experten berichten über widerstrebende Zweikanalmagnetbandelemente RAMS (RRAM), hoch entwickelte Flosse und nanowire FETs für eingestufte CMOS-Einheiten, fließen hohe Kanalmaterialien der Mobilität III-V auf 200mm Siliziumscheiben in einem industriekompatiblen MOSFET und die zukünftige ultra-niedrige Leistung, die FET-Einheiten einen Tunnel anlegt - beträchtliche Durchbrüche markierend, die den steigenden Bedarf an den Einheiten der höheren Leistung und der geringen Energie ansprechen.

Zusätzlich bewirtet SEMATECH Einladungs-vorkonferenz Werkstätten am 5. Dezember. Die Werkstätten konzentrieren sich auf die technische und Herstellungsabstände, die versprechende auftauchende Zweikanalmagnetbandelemente und III-V Kanäle auf Silikon beeinflussen. Co-sponsern durch Tokyo Elektron und Aixtron, kennzeichnen diese Werkstätten Experten von der Industrie und die Universitäten, welche die Herausforderungen und die Gelegenheiten in diesen Bereichen in einer Reihe von Darstellungen und Podiumsdiskussionen debattieren.

Während der IEDM-Konferenz stellen FEP-Experten SEMATECHS Forschungsresultate an den folgenden Sitzungen dar:

  • Sitzung 6, am Montag, den 6. Dezember um 2 P.M.: Selbst-Ausgerichtete III-V MOSFETS Heterointegrated auf einer 200 mm-Si-Substratfläche Unter Verwendung eines Industriekompatiblen ProzessFlusses - demonstriert zum ersten Mal dass III-V Einheiten auf Silikon in einer Steuerleitung des Silikons mit esteuerter Verunreinigung, Einheitlichkeit und Ertrag beim Demonstrieren der guten Einheitsleistung aufbereitet werden können.
  • Sitzung 16, am Dienstag, den 7. Dezember am 9:05 A.m.: Aussicht des Tunnelbaus des Grünen Transistors für 0.1V CMOS - forscht grüne Transistoren des Tunnelbaus für Schwachstrom-CMOS VLSI-Einheiten und -schaltungen nach. Statistische Daten zeigen, dass sub-60mV/decade Eigenschaften offenbar auf 8-Zoll- Wafers demonstriert worden sind. Diese Arbeit ist eine laufende Zusammenarbeit mit Prof Chenming HU und seine Mitarbeiter an University of California Berkeley. Die Ergebnisse der kooperativen Arbeit werden von Professor HU dargestellt.
  • Sitzung 19, am Dienstag, den 7. Dezember am 4:25 P.M.: Schaltungs-Vorrichtung des MetallOxid-RRAM Basiert auf Leitfähiger Faden-Mikroskopischen Eigenschaften - Berichte über kritischen leitfähigen Faden kennzeichnet SteuerungsRRAM-Operationen. Der Formungsprozeß wird gefunden, um die Fadenform infolgedessen zu definieren, die den Temperaturverlauf und bestimmt, die Schaltcharakteristik.
  • Sitzung 26, am Mittwoch, den 8. Dezember am 9:55 A.m.: Durchgangswiderstand Reduzierung zu Quelle/zu Ablaß FinFET Unter Verwendung des Dielektrischen Dipols Schwächte die Schottky-Sperren-Höhen-Justage - Shows zum ersten Mal eine Durchgangswiderstandreduzierung unter Verwendung der dielektrischer Dipol abgeschwächten Schottky-Sperrenhöhe ab, die auf einer FinFET-Quelle justiert. Diese Technik ist für auftauchende Einheiten, Ersatzkanalmaterialien und sub-22nm CMOSFETs sehr viel versprechend, in dem der höhere parasitäre Durchgangswiderstand der Schottky-Sperrenhöhe und -c$resultierens beträchtliche Sperren für die Gradeinteilung sind.
  • Sitzung 34, am Mittwoch, den 8. Dezember um 2 P.M.: Belastetes SiGe und Si FinFETs für Hochleistungs-Logik mit SiGe-/SiStapel auf SOI - Berichte über einen Zweikanalentwurf für hohe Mobilität CMOS FinFETs.

Die IEDM-Konferenz zeichnet ein internationales Publikum von Industriefachleuten für eine steigernde Erforschung der Auslegung, der Herstellung, der Physik und der Formung der Halbleiter und anderer elektronischer Geräte. Die Konferenz strahlt führende Arbeit von den Spitzenelektronikwissenschaftlern und -ingenieuren der Welt an; sie ist eine vielen Gebrauches der Industrieforen SEMATECH, mit Wissenschaftlern und Ingenieuren von den Gesellschaften, von den Universitäten und von anderen Forschungsinstitutionen, viele zusammenzuarbeiten von, sind wem Forschungspartner.

Quelle: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 20:05

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