Posted in | Nanoelectronics

Инженеры SEMATECH для того чтобы Выделить Предварительные FETs Nanowire на Случае IEDM

Published on November 9, 2010 at 4:12 AM

Показывая прорывы исследования, инженеры от программы Процессов Начала (FEP) SEMATECH представят технические бумаги на 56th однолетних Приборах Электрона IEEE Международных Встречая (IEDM) с 6-ого-8 декабря 2010, на Hilton в Сан-Франциско, CA.

Специалисты SEMATECH завещают технологии памяти RAM отчет о сопротивляющие (RRAM), предварительное Ребро и FETs nanowire для вычисленных по маштабу приборов CMOS, высокие материалы канала удобоподвижности III-V на вафлях кремния 200mm в MOSFET индустриального стандарта пропускают, и будущая ультра-низкая сила прокладывая тоннель приборы FET - выделяющ значительно прорывы которые адресуют растущую потребность для высокого класса исполнения и приборов низкой мощности.

Дополнительно, SEMATECH будет хозяйничать пригласительные мастерские pre-конференции 5-ого декабря. Мастерские сфокусируют на зазорах технических и изготавливания влияя на обещая вытекая технологии памяти и каналы III-V на кремний. Co-Спонсировано Электроном и Aixtron Токио, эти мастерские будут отличать специалистами от индустрии и научным сообществом дебатируя возможности и возможности в этих областях в ряду представлений и обсуждение общественно важного вопроса группой специально отобранных людей.

Во Время конференции IEDM, специалисты FEP SEMATECH представят результаты исследования на следующих встречах:

  • Встреча 6, Вторник 6-ое Декабря на 2 часа дня: Собственн-Выровнянные MOSFETS Heterointegrated III-V на Субстрате 200 mm Si Используя Поток Процесса Индустриального Стандарта - демонстрирует, для the first time, что приборы III-V на кремнии можно обрабатывать в линии кремния пилотной с контролируемыми загрязнением, единообразием и выходом пока демонстрирующ хорошее представление прибора.
  • Встреча 16, Среда 7-ое Декабрь на 9:05 A.M.: Перспективность Прокладывать Тоннель Зеленый Транзистор для 0.1V CMOS - расследует транзисторы прокладывать тоннель зеленые для приборов и цепей VLSI CMOS низшего напряжения. На Статистические данные показано что характеристики sub-60mV/decade ясно были продемонстрированы на вафлях 8 дюймов. Эта работа продолжающийся сотрудничество с Prof. Chenming Hu и его сотрудниками на Университете Штата Калифорнии Беркли. Результаты сотруднической работы Профессором Hu.
  • Встреча 19, Среда 7-ое Декабрь на 4:25 P.m.: Механизм Переключения Окиси Металла RRAM Основанный на Свойствах Проводной Нити Микроскопических - нить отчет о критическая проводная отличает контролируя деятельностями RRAM. Найдены, что определяет формируя процесс форму нити, которая определяет профиль температуры и впоследствии переключая характеристики.
  • Встреча 26, Четверг 8-ое Декабря на 9:55 A.M.: Уменьшение Контактного Сопротивления к Источнику/Стоку FinFET Используя Диэлектрический Диполь Mitigated Настраивать Высоты Барьера Schottky - выставки, для the first time, уменьшение контактного сопротивления используя диэлектрический диполь mitigated высота барьера Schottky настраивая на источнике FinFET. Этот метод очень перспективнейш для вытекая приборов, материалов альтернативного канала, и sub-22nm CMOSFETs, где контактное сопротивление высоты барьера и приводить к Schottky более высокое паразитное значительно барьеры для вычислять по маштабу.
  • Встреча 34, Четверг 8-ое Декабря на 2 часа дня: Напряженные SiGe и Si FinFETs для Логики Высокой Эффективности с Стогом на SOI - отчет о SiGe/Si двойное - направляют схему для высокой удобоподвижности CMOS FinFETs.

Конференция IEDM рисует международную аудиторию профессионалов индустрии для интенсивнейшего исследования конструкции, изготавливания, физики, и моделирования полупроводников и других электронных устройств. Конференция spotlights ведущая работа от научных работников и инженеров электроники мира верхних; оно одна из много польз форумов SEMATECH индустрии сотрудничать с научными работниками и инженерами от корпораций, университетов, и других научно-исследовательских институтов, много из кому соучастники исследования.

Источник: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 20:18

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit