Newsletters
Posted in | Nanoelectronics

Инженеры SEMATECH для того чтобы Выделить Предварительные FETs Nanowire на Случае IEDM

Показывая прорывы исследования, инженеры от программы Процессов Начала (FEP) SEMATECH представят технические бумаги на 56th однолетних Приборах Электрона IEEE Международных Встречая (IEDM) с 6-ого-8 декабря 2010, на Hilton в Сан-Франциско, CA.

Специалисты SEMATECH завещают технологии памяти RAM отчет о сопротивляющие (RRAM), предварительное Ребро и FETs nanowire для вычисленных по маштабу приборов CMOS, высокие материалы канала удобоподвижности III-V на вафлях кремния 200mm в MOSFET индустриального стандарта пропускают, и будущая ультра-низкая сила прокладывая тоннель приборы FET - выделяющ значительно прорывы которые адресуют растущую потребность для высокого класса исполнения и приборов низкой мощности.

Дополнительно, SEMATECH будет хозяйничать пригласительные мастерские pre-конференции 5-ого декабря. Мастерские сфокусируют на зазорах технических и изготавливания влияя на обещая вытекая технологии памяти и каналы III-V на кремний. Co-Спонсировано Электроном и Aixtron Токио, эти мастерские будут отличать специалистами от индустрии и научным сообществом дебатируя возможности и возможности в этих областях в ряду представлений и обсуждение общественно важного вопроса группой специально отобранных людей.

Во Время конференции IEDM, специалисты FEP SEMATECH представят результаты исследования на следующих встречах:

  • Встреча 6, Вторник 6-ое Декабря на 2 часа дня: Собственн-Выровнянные MOSFETS Heterointegrated III-V на Субстрате 200 mm Si Используя Поток Процесса Индустриального Стандарта - демонстрирует, для the first time, что приборы III-V на кремнии можно обрабатывать в линии кремния пилотной с контролируемыми загрязнением, единообразием и выходом пока демонстрирующ хорошее представление прибора.
  • Встреча 16, Среда 7-ое Декабрь на 9:05 A.M.: Перспективность Прокладывать Тоннель Зеленый Транзистор для 0.1V CMOS - расследует транзисторы прокладывать тоннель зеленые для приборов и цепей VLSI CMOS низшего напряжения. На Статистические данные показано что характеристики sub-60mV/decade ясно были продемонстрированы на вафлях 8 дюймов. Эта работа продолжающийся сотрудничество с Prof. Chenming Hu и его сотрудниками на Университете Штата Калифорнии Беркли. Результаты сотруднической работы Профессором Hu.
  • Встреча 19, Среда 7-ое Декабрь на 4:25 P.m.: Механизм Переключения Окиси Металла RRAM Основанный на Свойствах Проводной Нити Микроскопических - нить отчет о критическая проводная отличает контролируя деятельностями RRAM. Найдены, что определяет формируя процесс форму нити, которая определяет профиль температуры и впоследствии переключая характеристики.
  • Встреча 26, Четверг 8-ое Декабря на 9:55 A.M.: Уменьшение Контактного Сопротивления к Источнику/Стоку FinFET Используя Диэлектрический Диполь Mitigated Настраивать Высоты Барьера Schottky - выставки, для the first time, уменьшение контактного сопротивления используя диэлектрический диполь mitigated высота барьера Schottky настраивая на источнике FinFET. Этот метод очень перспективнейш для вытекая приборов, материалов альтернативного канала, и sub-22nm CMOSFETs, где контактное сопротивление высоты барьера и приводить к Schottky более высокое паразитное значительно барьеры для вычислять по маштабу.
  • Встреча 34, Четверг 8-ое Декабря на 2 часа дня: Напряженные SiGe и Si FinFETs для Логики Высокой Эффективности с Стогом на SOI - отчет о SiGe/Si двойное - направляют схему для высокой удобоподвижности CMOS FinFETs.

Конференция IEDM рисует международную аудиторию профессионалов индустрии для интенсивнейшего исследования конструкции, изготавливания, физики, и моделирования полупроводников и других электронных устройств. Конференция spotlights ведущая работа от научных работников и инженеров электроники мира верхних; оно одна из много польз форумов SEMATECH индустрии сотрудничать с научными работниками и инженерами от корпораций, университетов, и других научно-исследовательских институтов, много из кому соучастники исследования.

Источник: http://www.sematech.org/

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit