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Posted in | Nanoelectronics

显示先进的 Nanowire FETs 的 SEMATECH 工程师在 IEDM 活动

Published on November 9, 2010 at 4:12 AM

显示的研究突破,从 SEMATECH 的期初进程程序的 (FEP)工程师将存在技术文章在见面从 2010年 12月 6-8 的第 56 套每年 (IEDM) IEEE 国际电子设备,在 Hilton 在旧金山, CA。

SEMATECH 专家将报告关于抗拒 RAM (RRAM) 存储技术、先进的飞翅和 nanowire FETs 被称的 CMOS 设备的,高流动性 III-V 通道材料在 200mm 硅片在工业标准 MOSFET 流和挖洞 FET 设备的将来的极端底的功率 - 显示处理成长必需品对高性能和低功率设备的重大的突破。

另外, SEMATECH 将主持在 12月 5. 的应邀预备会议讨论会。 讨论会将着重影响承诺的涌现的存储技术和 III-V 通道在硅的技术和制造空白。 共同赞助由东京电子和 Aixtron,这些讨论会以从行业的辩论专家和的学术界为特色挑战和机会在这些区在一系列的介绍和公开讨论。

在 IEDM 会议期间, SEMATECH 的 FEP 专家将存在研究结果在下列会议:

  • 会议 6,星期一, 12月 6日下午 2 点: 在一个 200 mm Si 基体的自对齐的 III-V MOSFETS Heterointegrated 使用一个工业标准流程 - 展示,第一次,在硅的 III-V 设备在与受控污秽、均一和产量的硅中试线可以被处理,当展示好设备性能时。
  • 会议 16,星期二,在 9:05 上午的 12月 7日: 挖洞 0.1V 的 CMOS 绿色晶体管的潜在客户 - 调查低压 CMOS VLSI 设备和电路的挖洞绿色晶体管。 统计数据向显示子60mV/decade 特性在 8 英寸薄酥饼明显地被展示了。 此工作是与 Chenming 虎队和他的工友教授的持续的协作在加州大学伯克利。 这个合作工作的结果将由虎队教授存在。
  • 会议 19,星期二,在 4:25 P.m. 的 12月 7日: 金属氧化物 RRAM 在导电性细丝微观属性基础上的切换结构 - 关于重要导电性细丝的报表特色为控制 RRAM 运算。 发现这个形成的进程定义细丝形状,确定温度曲线图,并且,因而,切换的特性。
  • 会议 26,星期三,在 9:55 上午的 12月 8日: 对 FinFET 来源/流失的接触电阻减少使用电介质偶极缓和了肖特基障碍高度调整 - 显示,第一次,接触电阻减少使用电介质偶极调整在 FinFET 来源的被缓和的肖特基障碍高度。 此技术为涌现的设备、交替信道材料和子22nm CMOSFETs 是非常有为的,肖特基障碍高度和发生更高的寄生接触电阻是称的重大的障碍。
  • 会议 34,星期三, 12月 8日下午 2 点: 紧张的 SiGe 和 Si 高性能逻辑的 FinFETs 与在 SOI - 关于一个双通道模式的报表的 SiGe/Si 栈高流动性的 CMOS FinFETs。

IEDM 会议吸引行业专业人员国际听众设计、制造,物理和塑造的密集探险的半导体和其他电子设备。 这个会议聚光从世界的高级电子科学家和工程师的主导的工作; 它是许多行业论坛 SEMATECH 用途之一与科学家合作,并且从公司、大学和其他研究机构,大多数的工程师是研究合作伙伴。

来源: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 19:58

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