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SEMATECH聯盟工程師要突出先進的納米線場效應管在IEDM事件

Published on November 9, 2010 at 4:12 AM

揭示研究的突破,SEMATECH前端工藝(FEP)的工程師計劃將目前的技術論文在第56屆 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,從 2010年12月6-8日,在舊金山希爾頓,CA。

SEMATECH聯盟的專家將報告電阻 RAM(RRAM)的記憶體技術,先進的散熱片和規模的CMOS器件,高流動性的III - V族通道在一個行業標準 MOSFET流200mm矽片的材料,以及未來的超低功耗隧道FET器件的納米線場效應晶體管 - 突出的重大突破,解決了更高的性能和低功耗器件不斷增長的需求。

此外,SEMATECH聯盟將舉辦邀請賽的前研討會於 12月5日。研討會將重點放在技術和生產的影響有前途的新興的存儲技術和III - V族在矽渠道的差距。東京電子和AIXTRON聯合主辦的,這些講習班將功能從工業界和學術界爭論不休的一系列發言和小組討論中在這些領域的挑戰和機遇的專家。

在IEDM會議上,SEMATECH的FEP專家將目前的研究成果在以下環節:

  • 首次會議6日(星期一),12月6日下午2時:自對準III - V族在200毫米矽襯底使用行業標準的工藝流程異質結的MOSFET -演示,III - V族在矽器件可處理在矽中試線,控制污染,均勻度和產量,同時顯示出良好的設備性能。
  • 會議16日(星期二),12月7上午9:05:隧道為0.1V的CMOS綠色晶體管前景-調查為低電壓CMOS超大規模集成電路器件和電路的綠色隧道晶體管。統計數據表明,sub-60mV/decade特點已明確表明在8英寸晶圓。這項工作是一個正在進行的合作與晨鳴胡教授和他的同事在加州大學伯克利分校。協同工作的結果將提交由胡教授。
  • 會議19日(星期二),12月7日下午04:25:金屬氧化物RRAM開關導電長絲的微觀特性的機制-關鍵導電纖維控制RRAM操作功能上的報告。定義燈絲的形狀,這就決定了溫度曲線,因此,開關特性的形成過程。
  • 會議26日上午在9:55 12月8日(星期三):減少接觸電阻FinFET器件的源極/漏極使用介電偶極緩解肖特基高度調整-首次顯示,使用介電偶極子,接觸電阻減少減輕肖特基勢壘高度調整上FinFET的來源。這種技術是非常有前途的新興設備,替代通道材料,並分22納米 CMOSFETs,肖特基勢壘高度和由此產生的高寄生接觸電阻縮放的顯著障礙。
  • 會議34日(星期三),下午2時12月8:應變矽鍺和矽FinFET器件的SiGe / Si的堆棧在SOI高性能邏輯-為流動性高的CMOS FinFET器件的雙通道計劃的報告。

的IEDM會議提請密集的勘探設計,製造,物理,半導體和其他電子設備建模業內專業人士的國際觀眾。會議射燈領先世界頂級的電子產品的科學家和工程師的工作,它是許多行業論壇 SEMATECH聯盟使用與科學家和工程師來自公司,大學,和其他研究機構,其中許多人是研究夥伴之一。

來源: http://www.sematech.org/

Last Update: 9. October 2011 11:49

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