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Samsung Commence l'Échantillon de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 4Gb LPDDR2 Utilisant la Technologie 30nm-Class

Published on December 2, 2010 at 1:35 AM

Samsung Electronics Cie., Ltd, une amorce globale dans les solutions techniques avancées de semi-conducteur, annoncées aujourd'hui qu'il a développé et a commencé à échantillonner les premier quatre gigabits monolithique de l'industrie (Gb), MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE du DDR 2 de faible puissance (LPDDR2) utilisant la technologie de classe (nm) du nanomètre 30 en novembre.

La puce sera utilisée dans des applications mobiles à extrémité élevé telles que des smartphones et des PCs de tablette.

« Le marché de périphérique mobile s'accélère avec l'arrivée des PCs de tablette, qui ajoute de manière significative au segment déjà de battement de smartphone, » a dit Juin-Jeune Jeon, vice président, équipe de plan de développement des produits de mémoire, Samsung Electronics. « Samsung fonctionnera attentivement avec des créateurs de périphérique mobile pour porter la haute performance, solutions mobiles à haute densité pour lancer sur le marché aussi rapidement que possible. »

La MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE neuve de 4Gb LPDDR2 peut transférer jusqu'à 1.066 mégabits par seconde (Mbps), qui approche la performance des solutions de mémoire pour des applications de PC. Elle plus que double la performance de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE mobile précédente de l'industrie - MDDR, qui fonctionne entre 333Mbps et 400Mbps.

Pour faciliter diversifier soutenu des besoins du consommateur de caractéristiques techniques mobiles d'application, les puces mémoire avancées offrant la haute performance et la haute densité il devient essentielle.

Commençant ce mois, Samsung commencera à échantillonner la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 8Gb LPDDR2 en empilant deux puces 4Gb dans un module unique, comme on s'attend à ce que 8Gb devienne la densité de courant principal pour le marché mobile de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE l'année prochaine.

Jusqu'ici, LPDDR2 une MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE 8Gb (1GB) a utilisé quatre puces 2Gb. Avec le Vert neuf 4Gb LPDDR2, les offres de la solution 8Gb une réduction de hauteur de module de 20 pour cent (0.8mm contre 1.0mm) et sauvegardera une alimentation électrique de 25 pour cent absorbée par le module 8Gb précédent qui a utilisé quatre puces 2Gb. Ceci active des périphériques mobiles plus minces et plus légers avec une plus longue durée de vie de batterie.

Samsung a développé une puce de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 2Gb LPDDR2 basée sur la technologie 40nm-class en février de cette année et avait fourni cette solution depuis avril pour satisfaire à la demande croissante pour des Drachmes mobiles avancées. Avec la puce neuve de 30nm-class 4Gb, Samsung répondra aux besoins tranchant croissants de solutions LPDDR2 à haute densité, comme les marchés de smartphone et de tablette PC augmentent tout au long de 2011. Il planification également pour fournir LPDDR2 LA MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE 16Gb (2GB) en empilant quatre des puces 4Gb, car les besoins de capacité continuent à se développer.

Selon l'iSuppli, les expéditions de mi aux smartphones à extrémité élevé augmenteront à environ des tarifs annuels de 18 pour cent à partir de 2009 à 2014. Ceci signale l'extension excessive du marché mobile de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE en général, qui peut enregistrer pas moins 64 pour cent d'accroissement d'utilisation mobile de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE au cours de la même période, iSuppli également enregistré.

Source : http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 18:26

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