Le Physicien de Tech de la Géorgie Gagne la Médaille de Société de Recherches de Matériaux pour Développer Epi-Graphene

Published on December 3, 2010 at 4:44 AM

Les Matériaux Recherchent Walter A. de Heer, le professeur attribué par Société de la physique à l'Institut de Technologie de la Géorgie, MME Médaille à sa réunion d'automne annuelle à Boston aujourd'hui.

De Heer a été cité par la société pour le sien « frayant un chemin des cotisations à la science et technologie du graphene épitaxial. » MME Médaille identifie un accomplissement exceptionnel dans la recherche de matériaux pendant les dernières dix années. MME Médaille est attribuée pour une découverte récente ou un avancement en suspens particulière qui a un impact majeur sur le progrès d'une zone matériau matériau.

Walter A. de Heer, professeur de la physique à l'Institut de Technologie de la Géorgie, est mondial connu en tant que premier pour conceptualiser l'utilisation du graphene pour l'électronique, en 2001. Actuel le laboratoire de Heer's travaille à développer le graphene épitaxial comme remontage pour le silicium dans l'électronique.

« Je suis très heureux et encouragé que notre recherche pour développer l'epi-graphene pour l'électronique soit identifiée déjà dans ce stade précoce. Ceci stimulera certainement d'autres pour nous joindre dans cet effort important, » a dit de Heer.

De Heer et son laboratoire au Tech de la Géorgie sont mondial connu en tant que premier pour conceptualiser l'utilisation du graphene pour l'électronique, en 2001. Actuel le laboratoire de Heer's travaille à développer le graphene épitaxial comme remontage pour le silicium dans l'électronique.

« Puisque l'epi-graphene peut pouvoir surpasser les limitations de vitesse du silicium, tout en également tenant compte pour que moins de chaleur soit produite dans une plus petite puce, nous croyons que le graphene affiche la promesse grande en pouvant remonter le silicium dans l'électronique pour des applications telles que l'électronique de fréquence, où ces attributs seront nécessaires les la plupart, » a dit de Heer.

« Walt de Heer est une amorce globale dans la recherche de graphene, et nous le félicitons sur cette dernière reconnaissance de son travail important, » a dit le Président G.P. « Bourgeon » Peterson de Tech de la Géorgie. « La recherche interdisciplinaire que lui et ses collègues font au Tech de la Géorgie a le potentiel de changer excessivement l'industrie électronique en activant l'utilisation de ce matériau prometteur dans les générations futures d'appareils électroniques performants. »

De Heer a gagné un doctorat dans la physique de l'Université de Californie - Berkeley en 1986. Il a travaillé chez l'École Polytechnique Fédérale De Lausanne en Suisse à partir de 1987-1997.

Actuel un Professeur des Régents de la Physique au Tech, de Heer dirige le Laboratoire Épitaxial de Graphene dans l'École de la Physique et aboutit l'Organisme de Recherche Interdisciplinaire Épitaxial de Graphene au Centre de Scientifique et Technique de Recherches de Matériaux de Tech de la Géorgie.

De Heer et ses organismes de recherche ont apporté des cotisations significatives à plusieurs zones dans la physique nanoscopic. En 1995, la recherche de Heer's s'est tournée vers des nanotubes de carbone, prouvant qu'elles sont d'excellents émetteurs de zone avec l'application possible aux affichages à panneau plat. En 1998, il a découvert que les nanotubes de carbone sont les conducteurs ballistiques, qui est une propriété principale pour l'électronique graphene-basée.

En 2001, son travail sur l'électronique nanopatterned d'epi-graphene a mené au développement de l'électronique graphene-basée. Ce projet a été financé par Intel Corporation en 2003 et par le National Science Foundation (NSF) en 2004. Son Graphite Épitaxial de papier et Ultra-mince : Les Propriétés Bidimensionnelles de Gaz d'Électrons et une Artère Vers l'Électronique Graphene-Basée, publiée au Tourillon de la Physico-chimie, Ont jeté les fondements expérimentaux et conceptuels pour l'électronique graphene-basée. De Heer retient le premier brevet pour l'électronique graphene-basée qui a été provisoire limée en juin 2003.

Source : http://www.gatech.edu/

Last Update: 11. January 2012 17:17

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