ジョージアの技術の物理学者は Epi-Graphene を開発するための材料の研究の社会メダルを獲得します

Published on December 3, 2010 at 4:44 AM

材料は社会によって与えられるウォルター A. de Heer を、ジョージアの技術協会の物理学の教授ボストンの年次落下会合の夫人メダル今日研究します。

De Heer はエピタキシアル graphene の科学技術への貢献を開拓する彼ののための社会によって引用されました 「」。 夫人メダルは過去の 10 年の材料の研究の例外的な達成を認識します。 夫人メダルは材料関連のフィールドの進歩の主な影響がある特定の顕著な最近発見したものか進歩のために与えられます。

、ウォルター A. de Heer はジョージアの技術協会の物理学の教授第 1 として 2001 年に背部電子工学のための graphene の使用を概念化すると世界的に知られています。 現在 de Heer's の実験室は電子工学のケイ素のための置換としてエピタキシアル graphene の開発で動作しています。

「私は電子工学のための epi-graphene を開発する私達の研究がこの初期で既に認識されること非常に嬉しく、励まされる。 これは確かにこの重要な努力の私達を結合するように他を刺激します」 de Heer を言いました。

ジョージアの技術の De Heer および彼の実験室は第 1 として 2001 年に背部電子工学のための graphene の使用を概念化すると世界的に知られています。 現在 de Heer's の実験室は電子工学のケイ素のための置換としてエピタキシアル graphene の開発で動作しています。

「epi-graphene がケイ素の速度の限定を越えられるかもしれないのでまた可能にしている間より少ない熱がより小さいチップで生成されることができるように、私達が信じます graphene がこれらの属性がほとんど必要とされるデシメートル波の電子工学のようなアプリケーションのための電子工学のケイ素を取り替えられるで大きい約束を」言った de Heer を示すことを。

「Walt de Heer graphene の研究の全体的なリーダーであり、私達は彼の重要な作業のこの最新の認識の彼を祝います」、はジョージアの技術の大統領 G.P. 「芽」ピーターソンを言いました。 「彼および彼の同僚がジョージアの技術でしている学際的な研究あります劇的に高性能電子デバイスの次世代のこの有望な材料の使用を可能にすることによって電子産業を変更する潜在性が」。に

De Heer は - 1986 年にバークレーカリフォルニア大学からの博士の物理学の学位を得ました。 彼は 1987-1997 年からのスイス連邦共和国の École Polytechnique Fédérale de ローザンヌで働きました。

de Heer、現在技術の物理学の理事の教授は物理学の学校の Graphene のエピタキシアル実験室を指示し、ジョージアの技術材料の研究科学および工学中心でエピタキシアル Graphene の学際的な研究グループを導きます。

De Heer および彼の研究グループは nanoscopic 物理学の複数の領域に重要な貢献を作りました。 1995 年に、 de Heer's の研究はカーボンにフラットパネルディスプレイへ潜在的なアプリケーションの優秀なフィールドエミッターであることを示す nanotubes を回しました。 1998 年に、 graphene ベースの電子工学のための主特性である彼はカーボン nanotubes が弾道コンダクターであることを検出しました。

2001 年に、 nanopatterned epi-graphene の電子工学の彼の作業は graphene ベースの電子工学の開発の原因となりました。 このプロジェクトは 2003 年にインテルと 2004 年に全米科学財団によって (NSF)資金を供給されました。 彼のペーパー、極めて薄いエピタキシアルグラファイト: 物理化学のジャーナルで出版された Graphene ベースの電子工学の方の二次元の電子ガスの特性そしてルートは graphene ベースの電子工学の実験および概念的な基盤を築きました。 De Heer は 2003 年 6 月に暫定的にファイルされた graphene ベースの電子工学のための最初のパテントを保持します。

ソース: http://www.gatech.edu/

Last Update: 11. January 2012 17:24

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