サンフランシスコで会う国際的な電子デバイスで現在の松下電器産業および imec は SiGe 革新的な (ケイ素のゲルマニウム) の薄膜低いバイアス電圧と結合された工業レコード Q値を特色にする SOI ベースの MEMS の共鳴器を包みました。
高い Q値はねじり振動モードで動作する、達成され薄膜のパッケージの共鳴器の真空のカプセル封入による共鳴器の実行によって。 この革新の共鳴器は家電および自動車電子工学のようないろいろなアプリケーションで使用されるタイミング・デバイスの小型化そして低い電力の消費の方の道を開きます。
MEMS の共鳴器は水晶および圧電気の製陶術のような慣習的な共鳴器上の高められた小型化を提供します。 ただし、最新式 MEMS の共鳴器は低い Q値および高いバイアス電圧に苦しみます。 松下電器産業および imec は企業で今まで報告された最も高い Q値を達成する小説によって包まれた MEMS の共鳴器を開発しました (共振周波数 f=20MHz (f の 220,000·4.3X1012Hz の Q の製品)) そして異なった高度 MEMS の技術の結合による低いバイアス電圧。
ねじり振動モードのアプリケーションは低いアンカー損失を可能にし、より低くより高い Q値に終って flexural モードの共鳴器と、比較されるフィルムの弱めを絞ります。 Q値がまた包囲された圧力によって決まり、粘性による臨界圧の上で減り始め、そして弱まるフィルムを絞るので imec および松下電器産業の真空は密封状態で密封された環境の共鳴器をカプセル化しました。 SiGe の 4mm 厚いフィルムとの MEMS のこの薄膜のカプセル封入は MEMS の単一製造プロセスと実現されます。
ビームと駆動機構および感覚の電極間の狭い 130nm ギャップは低いバイアス電圧 (1.8Vdc) を可能にし、こうして発振器回路のチャージポンプを除去します。 さらに、犠牲的な層を使用して微晶質のケイ素のゲルマニウムの層によるエッチングはキャビティの中のシーリング材料の沈殿のチャンスを最小化し、こうしてより小さいチップサイズの原因となるビーム表面の上のエッチングの穴を正しく置くことを可能になります。
包まれた MEMS の共鳴器は企業に異質統合サービスを提供する imec の CMORE サービスの一部として実現されました。 新しいプロセスの CMOS プロセスを調整し、拡張する多くの研究分野の専門知識の Imec の造りは小説 CMOS をマイクロ作るために歩み、 nanodevices はチップに論理およびメモリ以外、追加して作用します。 そのような MEMS 装置の可能なアプリケーションはスマートなセンサー、アクチュエーター、力の清掃動物、共鳴器、 biochips、マイクロ implantable 機器、または太陽電池です。 Imec の CMORE は少量の生産に範囲をから開発要求、プロトタイピング上の、整備します。
2010 年 12 月 7 日掲示される