乐声牌和 imec 当前在见面在旧金山的国际电子设备被包装的创新 SiGe (硅锗) 薄膜 SOI 根据以行业记录 Q 系数为特色的 MEMS 谐振器结合与低偏压。
高 Q 系数通过实施在一个扭转力振动模式下运行的一台谐振器达到，和，由谐振器的真空封闭在一个薄膜程序包的。 此开创性谐振器铺平道路往小型化和用于各种各样的应用的定时器的低功率冲减的例如家电和汽车电子学。
MEMS 谐振器提供在常规谐振器的改进的小型化例如石英晶体和压电陶瓷。 然而，科技目前进步水平 MEMS 谐振器遭受一个低 Q 系数和高偏压。 乐声牌和 imec 开发了达到最高的 Q 系数的一台小说被包装的 MEMS 谐振器直到现在报告在这个行业 (220,000 以谐振频率 f=20MHz (f·4.3X1012Hz Q 产品)) 并且低偏压通过结合不同的先进的 MEMS 技术。
一个扭转力振动模式的应用启用低锚点损失和更低紧压影片阻止与弯曲模式谐振器比较，造成一个更高的 Q 系数。 因为 Q 系数取决于围压并且也开始在一个临界压力上减少由于黏并且紧压阻止的影片， imec 和乐声牌真空在一个密封环境里浓缩了谐振器。 MEMS 的此薄膜封闭与 4mm 厚实的 SiGe 影片的认识到与与 MEMS 的一个整体制造进程。
射线和推进和意义电极之间的缩小的 130nm 空白启用低偏压 (1.8Vdc) 和因而消灭在振荡器电路的一个灌注泵。 而且，使用牺牲层蚀刻通过一块微晶质硅锗层使密封材料的证言减到最小的机会在这个洞里面的和因而启用确定蚀刻漏洞上面射线表面，导致一个更小的筹码范围。
被包装的 MEMS 谐振器认识到作为 imec 的为这个行业提供异种综合化服务的 CMORE 服务一部分。 在其专门技术的 Imec 编译在调整和扩大与更新过程的 CMOS 进程的许多研究领域跨步使小说 CMOS 微型，并且 nanodevices，添加发挥作用除逻辑和内存之外对筹码。 可能的应用的这样 MEMS 设备是巧妙的传感器、致动器、功率净化剂、谐振器、生物芯片、微型可植入的可移植的工具或者太阳能电池。 Imec 的 CMORE 从发展在需求为范围服务，在原型，对低音量生产。
张贴 2010年 12月 7日，