樂聲牌和 imec 當前在見面在舊金山的國際電子設備被包裝的創新 SiGe (硅鍺) 薄膜 SOI 根據以行業記錄 Q 系數為特色的 MEMS 諧振器結合與低偏壓。
高 Q 系數通過實施在一個扭轉力振動模式下運行的一臺諧振器達到，和，由諧振器的真空封閉在一個薄膜程序包的。 此開創性諧振器鋪平道路往小型化和用於各種各樣的應用的定時器的低功率衝減的例如家電和汽車電子學。
MEMS 諧振器提供在常規諧振器的改進的小型化例如石英晶體和壓電陶瓷。 然而，科技目前進步水平 MEMS 諧振器遭受一個低 Q 系數和高偏壓。 樂聲牌和 imec 開發了達到最高的 Q 系數的一臺小說被包裝的 MEMS 諧振器直到現在報告在這個行業 (220,000 以諧振頻率 f=20MHz (f·4.3X1012Hz Q 產品)) 并且低偏壓通過結合不同的先進的 MEMS 技術。
一個扭轉力振動模式的應用啟用低錨點損失和更低緊壓影片阻止與彎曲模式諧振器比較，造成一個更高的 Q 系數。 因為 Q 系數取決於圍壓并且也開始在一個臨界壓力上減少由於黏并且緊壓阻止的影片， imec 和樂聲牌真空在一個密封環境裡濃縮了諧振器。 MEMS 的此薄膜封閉與 4mm 厚實的 SiGe 影片的認識到與與 MEMS 的一個整體製造進程。
射線和推進和意義電極之間的縮小的 130nm 空白啟用低偏壓 (1.8Vdc) 和因而消滅在振盪器電路的一個灌注泵。 而且，使用犧牲層蝕刻通過一塊微晶質硅鍺層使密封材料的證言減到最小的機會在這個洞裡面的和因而啟用確定蝕刻漏洞上面射線表面，導致一個更小的籌碼範圍。
被包裝的 MEMS 諧振器認識到作為 imec 的為這個行業提供異種綜合化服務的 CMORE 服務一部分。 在其專門技術的 Imec 編譯在調整和擴大與更新過程的 CMOS 進程的許多研究領域跨步使小說 CMOS 微型，并且 nanodevices，添加發揮作用除邏輯和內存之外對籌碼。 可能的應用的這樣 MEMS 設備是巧妙的傳感器、致動器、功率淨化劑、諧振器、生物芯片、微型可植入的可移植的工具或者太陽能電池。 Imec 的 CMORE 從發展在需求為範圍服務，在原型，對低音量生產。
張貼 2010年 12月 7日，