Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

Samsung Développe le Module de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR4 avec la Technologie De La Transformation 30 Classe du nanomètre

Published on January 4, 2011 at 4:45 AM

Samsung Electronics Cie., Ltd, une amorce globale dans les solutions techniques avancées de semi-conducteur, annoncées aujourd'hui qu'il a rempli le développement du premier module de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR4 de l'industrie le mois dernier, utilisant la technologie de la transformation (nm) de classe du nanomètre 30.

« Samsung avait activement supporté l'Industrie des technologies de l'information avec notre initiative verte de mémoire en comparant avec qui respecte l'environnement, les produits de mémoire novateurs fournissant une plus haute performance et une efficience d'alimentation électrique chaque année, » a dit Dong Soo Juin, président, division de mémoire, Samsung Electronics. « La MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR4 neuve établira encore une confiance plus grande dans notre mémoire verte tranchante, en particulier quand nous introduisons des produits (Gb) du quatre-gigabit DDR4-based utilisant la technologie de la transformation de prochain rétablissement pour l'application de courant principal. »

Le module neuf de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR4 peut réaliser des taux de transfert de données de 2,133 gigabits par seconde (GBP) à 1.2V, comparé à la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 1.35V et de 1.5V DDR3 à une technologie de la transformation 30nm-class équivalente, avec des vitesses de jusqu'à 1.6Gbps. Une Fois appliqué à un carnet, il ramène la consommation d'énergie par 40 pour cent de comparé à un module de 1.5V DDR3.

Le module se sert Pseudo Pour Ouvrir la Fuite (POD), une technologie neuve qui a été adaptée à la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE graphique performante pour laisser la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR4 pour absorber juste la moitié du courant électrique de DDR3 en affichant et en écrivant des données.

En utilisant l'architecture de circuit neuve, le DDR4 de Samsung pourra faire fonctionner de 1,6 jusqu'à 3.2Gbps, comparé aux vitesses typiques d'aujourd'hui de 1.6Gbps pour DDR3 et 800Mbps pour DDR2.

Le mois dernier En Retard, Samsung a fourni 1.2V les modules à double rangée de connexions non tamponnés de la mémoire DDR4 de 2 gigas (2GB) (UDIMM) à un générateur de Contrôleur pour le test.

Samsung planification maintenant pour fonctionner attentivement avec un certain nombre de générateurs de serveur pour aider à assurer l'achèvement de la standardisation de JEDEC des technologies DDR4 dans la deuxième moitié de cette année.

Samsung avait abouti l'avancement de la technologie de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE depuis qu'il a développé la première MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de la RDA de l'industrie en 1997. En 2001, il a introduit la première MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR2, et en 2005, a annoncé la première MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE DDR3 utilisant la technologie 80nm-class.

Source : http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 13:37

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit