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Samsung Desenvolve o Módulo da GOLE DDR4 com Tecnologia de Processamento de 30 nanômetro-Classes

Published on January 4, 2011 at 4:45 AM

Samsung Electronics Co., Ltd, um líder global nas soluções avançadas da tecnologia de semicondutor, anunciadas hoje que terminou a revelação módulo da GOLE DDR4 da indústria do primeiro no mês passado, usando a tecnologia de processamento da classe (nm) de 30 nanômetros.

“Samsung tem apoiado activamente a indústria das Tecnologias de Informação Com nossa iniciativa verde da memória vindo acima com eco-amigável, os produtos de memória inovativos que fornecem o desempenho mais alto e a eficiência de potência cada ano,” disse o Dong Soo Junho, presidente, divisão da memória, Samsung Electronics. “A GOLE DDR4 nova construirá mesmo a maior confiança em nossa memória verde pioneiro, particularmente quando nós introduzimos produtos (Gb) de quatro-gigabit DDR4-based usando a tecnologia de processamento da próxima geração para a aplicação do grosso da população.”

O módulo novo da GOLE DDR4 pode conseguir taxas de transferência dos dados de 2,133 gigabits de por segundo (Gbps) em 1.2V, comparado à GOLE de 1.35V e de 1.5V DDR3 em uma tecnologia de processamento 30nm-class equivalente, com as velocidades até de 1.6Gbps. Quando aplicado a um caderno, reduz o consumo de potência por 40 por cento comparados a um módulo de 1.5V DDR3.

O módulo utiliza Pseudo- Para Abrir o Dreno (POD), uma nova tecnologia que seja adaptada à GOLE gráfica de capacidade elevada para reservar a GOLE DDR4 consumir apenas a metade de corrente elétrica de DDR3 ao ler e ao redigir dados.

Empregando a arquitetura de circuito nova, o DDR4 de Samsung poderá ser executado de 1,6 até 3.2Gbps, comparado às velocidades típicas de hoje de 1.6Gbps para DDR3 e 800Mbps para DDR2.

O mês passado Atrasado, Samsung forneceu 1.2V 2 a em-linha dupla unbuffered da giga byte (2GB) DDR4 módulos da memória (UDIMM) a um fabricante do controlador testando.

Samsung planeia agora trabalhar pròxima com um número de fabricantes do server para ajudar a segurar a conclusão da normalização de JEDEC das tecnologias DDR4 na segunda metade deste ano.

Samsung tem conduzido o avanço da tecnologia da GOLE depois que desenvolveu GOLE da RDA da indústria a primeira em 1997. Em 2001, introduziu a primeira GOLE DDR2, e em 2005, anunciou a primeira GOLE DDR3 usando a tecnologia 80nm-class.

Source: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 13:52

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