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三星开发30纳米级工艺技术的DDR4记忆体模组

Published on January 4, 2011 at 4:45 AM

在先进的半导体技术解决方案的全球领导者,三星电子有限公司,今天宣布,它上个月完成开发行业的第一DDR4 DRAM模块,使用30纳米(nm)级的工艺技术。

,三星电子内存部门总裁,董秀俊,说:“三星一直积极支持我们的绿色环保,创新的内存产品提供更高的性能和电源效率每年内存主动的IT行业,”。 “新DDR4 DRAM将建立更大的信心,我们的尖端绿色内存,特别是当我们介绍四个千兆位(GB)DDR4为基础的产品使用下一代主流应用的工艺技术。”

新DDR4 DRAM模块可以实现2.133千兆每秒(Gbps)的数据传输速率,在1.2V到1.35V和1.5V的DDR3 DRAM相比在同等的30纳米级工艺技术,速度可达1.6Gbps。当应用到笔记本电脑,它减少了40%的功耗,1.5V的DDR3模块相比。

该模块使得使用伪漏极开路(POD),一项新技术,已经适应了高性能的图形DRAM的允许DDR4 DRAM的读取和​​写入数据时,短短半年的消耗电流的DDR3。

通过采用新的电路架构,三星的DDR4将能够运行从1.6上升到3.2Gbps,比今天DDR3和800Mbps的DDR2的1.6Gbps的典型速度。

上月末,三星提供1.2V 2千兆字节(2GB)DDR4无缓冲双列直插内存模块(UDIMM)进行测试,以一个控制器制造商。

现在,三星计划工作的服务器制造商紧密合作,以帮助确保JEDEC的DDR4技术的标准化,在今年下半年完成。

三星一直领先的DRAM技术的进步,自从它于1997年开发的业界第一款的DDR DRAM。在2001年,它推出了第一款DDR2内存,并在2005年宣布,首款DDR3 DRAM采用80nm工艺,一流的技术。

来源: http://www.samsung.com/

Last Update: 3. October 2011 09:58

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