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Posted in | Nanoelectronics

三星發展 DDR4 有 30 nm 班的加工技術的微量模塊

Published on January 4, 2011 at 4:45 AM

三星電子 Co.,有限公司,在先進的半導體技術解決方法的全球領導先鋒,今天宣佈它上個月完成了行業的第一個 DDR4 微量模塊的發展,使用 30 毫微米 (nm)選件類加工技術。

「三星通過出現有效地支持與我們的綠色內存主動性的信息業與環境友好,每年提供高性能和出力效率的創新存儲器產品」,東 Soo 部門 6月,三星電子總統,內存說。 「新的 DDR4 微量在我們最尖端的綠色內存將建立更加極大的電話會議,特別地當我們介紹四吉比特 (Gb)基於 DDR4 的產品使用主流應用的下一代加工技術」。

新的 DDR4 微量模塊可能達到 2.133 每秒吉位的數據傳送率 (Gbps) 在 1.2V,與 1.35V 和 1.5V DDR3 微量比較在一種等同的 30nm 班的加工技術,與至 1.6Gbps 的速度。 當適用於筆記本,它由 40% 減少電力消費與 1.5V DDR3 模塊比較。

模塊利用假開張流失 (POD),適應高性能圖像微量准許 DDR4 微量消耗一半 DDR3 電流,當讀和寫數據時的一種新技術。

通過使用新的電路結構,三星的 DDR4 能從 1.6 運行至 3.2Gbps,與 1.6Gbps 比較的今天典型的速度 DDR3 和 800Mbps 的 DDR2 的。

上個月下旬,三星提供 1.2V 2 十億字節 (2GB) DDR4 無緩衝的雙重軸向內存模塊 (UDIMM) 給管理員製造商為測試。

三星現在計劃嚴密地與一定數量的服務器製造商一起使用幫助在今年的下半年確保 DDR4 技術的 JEDEC 標準化的完成。

自那以後它在 1997年,開發了行業的第一個 DDR 微量三星導致微量技術的推進。 使用 80nm 班的技術,在 2001年,它在 2005年引入第一個 DDR2 微量,和,宣佈了第一個 DDR3 微量。

來源: http://www.samsung.com/

Last Update: 26. January 2012 13:19

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