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Nuevo Samsung de 4 Gb, de 40 nm de clase de memoria DDR3 que se emplearán en los servidores HP ProLiant

Published on January 18, 2011 at 4:15 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que su nueva contraseña de 4 gigabits (Gb) a base de 40 nanómetros (nm) de bajo consumo de clase de memoria DDR3 será utilizado en servidores HP ProLiant G7.

La nueva tecnología de memoria de 4 GB permite hasta 100 por ciento el rendimiento de memoria mayor que el utilizado 60nm clase módulos DDR2 de 1 Gb, mientras que la energía que consumen más del 84 por ciento menos. Además, la memoria DDR3 de 4Gb plantea la registrada módulo de memoria dual en línea (RDIMM) la densidad de 32 GB.

"Nuestra nueva de 4 Gb DDR3 40nm clase proporciona una solución ideal verde para los fabricantes de servidores que buscan satisfacer el deseo insaciable del centro de datos para un mayor rendimiento, con una mayor densidad a voltajes más bajos," dijo Jim Elliott, vicepresidente de marketing de la memoria y la planificación de productos, Samsung Semiconductor, Inc.

"Los clientes pueden optimizar el rendimiento general del sistema y mantener bajos los costos mediante el aprovechamiento de gran capacidad, la tecnología de energía eficiente de la memoria", dijo Jim Ganthier, vicepresidente de marketing de servidores estándar de la industria y el software de HP. "Líderes en el sector servidores HP ProLiant con tecnología de Samsung combina memoria de 4 GB permite a los clientes para mejorar el servidor del centro de datos y la eficiencia energética al tiempo que acelera el rendimiento de aplicaciones."

La memoria juega un papel crítico en la actualidad en el centro de datos como el tráfico de datos cada vez mayor demanda de unidades de capacidad de memoria superior. Los datos de potencia y refrigeración del centro son la parte superior de la mente para TI y los administradores de instalaciones que tienen el reto de ampliar su capacidad operativa y optimizar el rendimiento, al tiempo que reduce el consumo de energía.

Un rango de 16 GB de doble, 4 Gb de 40 nm de clase DDR3 DIMM registrados base (en línea dual del módulo de memoria) proporciona un rendimiento hasta un 67 por ciento más rápido que un quad RDIMM rango de 16 GB, y es capaz de funcionar en 1333 dos DIMMs por canal (DPC). Esto se compara con una velocidad de cuatro rango de 16 GB de 800 MHz en 2DPC. En comparación con 60 nm de clase basadas en DDR2 RDIMM corriendo a 667 MHz, un módulo de 16 GB de Samsung de doble rango lleva a cabo dos veces más rápido.

Cuando se trata de consumo de energía, el equipamiento de la densidad de 48 GB de memoria en un servidor construido con el RDIMM de 40nm de la clase de 4 Gb DDR3 consume hasta un 84 por ciento de energía menos que con 60 nm de clase basada en módulos DDR2 de 1Gb.

Además, un quad de 32 GB DDR3 rango Samsung duplica la capacidad de la memoria global de los nuevos servidores de doble procesador, el aumento de la capacidad máxima de memoria de 384GB de 192GB.

Fuente: http://www.samsung.com/

Last Update: 3. October 2011 10:00

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