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Posted in | Nanoelectronics

I Nuovi 4 GB di Samsung, Memoria Classa nanometro 40 DDR3 Da Utilizzare nei Server di HP ProLiant

Published on January 18, 2011 at 4:15 AM

Samsung Electronics Co., Srl, il leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, annunciata oggi che la sua nuova 4 (Gb) 40 alla memoria basata a gigabit (nm) di potere basso DDR3 della classe di nanometro sarà utilizzata nei server del G7 di HP ProLiant.

La nuova tecnologia di memoria 4Gb permette alla prestazione di memoria fino a più d'altezza 100 per cento che i moduli ampiamente usati di 60nm-class 1Gb DDR2, mentre consuma oltre 84 per cento meno potenza. Inoltre, il 4Gb DDR3 solleva la densità in-linea doppia registrata del modulo (RDIMM) di memoria a 32GB.

“Il Nostro nuovo 4Gb 40nm-class DDR3 fornisce una soluzione Verde ideale per i produttori del server che cercano di incontrare il desiderio insaziabile del centro dati per il rendimento elevato, con le più alte densità alle più basse tensioni,„ ha detto JIM Elliott, vice presidente, la vendita di memoria e la pianificazione di prodotto, Samsung Semiconductor, Inc.

“I Clienti possono ottimizzare la prestazione di sistema globale e tenere i costi giù facendo leva capacità elevata, tecnologia di memoria efficiente di potenza,„ ha detto JIM Ganthier, vice presidente dell'introduzione sul mercato, dei Server dello Standard Industriale e del Software, HP. “I server Leader del settore di HP ProLiant combinati con la tecnologia di memoria di Samsung 4Gb permette che i clienti migliorino il server del centro dati ed il rendimento energetico mentre prestazione accelerante di applicazione.„

La Memoria svolge oggi un ruolo critico nel centro dati mentre le unità rapido aumentanti di traffico di dati richiedono per le capacità di più alta memoria. La potenza del Centro dati e le emissioni di raffreddamento sono cima della mente per i gestori degli impianti e dell'IT che sono sfidati ad estendere la loro capacità operativa ed ad ottimizzare la prestazione, mentre diminuendo consumo di energia.

Un 16GB si raddoppia ordine, 4Gb 40nm-class DIMM (modulo in-linea doppio di memoria) registrato basato DDR3 fornisce la prestazione fino a più veloce 67 per cento che un ordine RDIMM del quadrato 16GB ed è capace di esecuzione del 1333MHz a due DIMMs per canale (DPC). Ciò confronta ad una velocità dell'ordine del quadrato 16GB di 800MHz a 2DPC. Una Volta confrontato a 60nm-class DDR2-based RDIMMs che funziona a 667MHz, un modulo rigoglioso doppio di 16GB Samsung esegue due volte velocemente.

Quando si tratta di consumo di energia, fornire 48GB di densità di memoria in un server costruito del 40nm-class 4Gb DDR3 ha basato RDIMMs egualmente usa fino a 84 per cento meno potenza che facendo uso dei moduli basati DDR2 di 60nm-class 1Gb.

Più Ulteriormente, un ordine Samsung DDR3 del quadrato 32GB raddoppia la capacità di memoria globale in nuovi server del doppio processore, aumentanti la capacità di memoria massima a 384GB da 192GB.

Sorgente: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 12:17

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