Posted in | Nanoelectronics

Samsung Новые 4 Гб, 40-нм класса DDR3 памяти, подлежащие использованию в серверах HP ProLiant

Published on January 18, 2011 at 4:15 AM

Samsung Electronics Co, Ltd, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил сегодня, что ее новый 4-гигабитных (Гб) на основе 40 нанометров (нм) с низким энергопотреблением класса DDR3 память будет использоваться в HP ProLiant G7 серверов.

Новая память 4Gb технология позволяет до 100 процентов выше производительность подсистемы памяти, чем широко используется 60 нм класса 1Гб DDR2 модули, потребляя при этом более 84 процентов меньше энергии. Кроме того, 4 Гб DDR3 поднимает зарегистрированных модуль памяти с двухрядным (RDIMM) плотностью до 32 ГБ.

"Наши новые 4 Гб 40-нм класса DDR3 обеспечивает идеальное Зеленые решения для производителей серверов ищет для удовлетворения ненасытного желания центра обработки данных для повышения производительности, при более высокой плотности при более низких напряжениях," сказал Джим Эллиот, вице-президент, память маркетинга и планирования продукции, Samsung Semiconductor, Inc

"Клиенты могут оптимизировать общую производительность системы и снизить затраты за счет использования высокой пропускной способностью, энергоэффективные технологии памяти," сказал Джим Ganthier, вице-президент по маркетингу подразделения серверов стандартной архитектуры и программного обеспечения HP. "Ведущие в отрасли серверов HP ProLiant в сочетании с Samsung технология памяти 4 Гб позволяет клиентам улучшить сервер данных центра и энергоэффективности, а также ускорению производительности приложений."

Память играет важную роль сегодня в центре обработки данных, как быстрый рост трафика данных стимулирует спрос на большей емкостью памяти. Центр обработки данных на электропитание и охлаждение вопросы приоритетом в жизни для ИТ и сооружений менеджеров, которые стоит задача расширить свой оперативный потенциал и оптимизировать производительность при одновременном снижении энергопотребления.

16GB двойного ранга, 4 Гб 40-нм класса DDR3 основаны зарегистрированных DIMM (Dual In-Line Memory модуль) обеспечивает до 67 процентов более высокую производительность, чем 16 Гб RDIMM ранг четырехъядерные, и способен работать 1333 на двух модулей DIMM на канал (ЦОД). Это сопоставимо с 16 Гб скорость ранг четырехъядерных 800 МГц на 2DPC. По сравнению с 60 нм класса DDR2-модулей RDIMM основан работает на частоте 667 МГц, 16 ГБ Samsung двойной модуль ранга выполняет два раза быстрее.

Когда речь идет о потребляемой мощности, оснащение 48 ГБ оперативной памяти плотность в сервер построен с 40-нм класса 4 Гб DDR3 основаны модулей RDIMM, также использует до 84 процентов меньше энергии, чем при использовании 60 нм класса 1Гб DDR2 модули на основе.

Кроме того, 32 четырехъядерных ранга Samsung DDR3 удваивает Общий объем памяти в новых двухпроцессорных серверов, увеличивая максимальный объем памяти до 384GB от 192 Гбайт.

Источник: http://www.samsung.com/

Last Update: 7. October 2011 05:38

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit