电子研究员爱 graphene。 浓厚碳一原子二维页， graphene 是象电子的一条高速公路，通过与 100 倍的材料迅速上升流动性他们有在硅。
但是创建基于 graphene 的设备富挑战性，说研究员在国家标准技术局 (NIST)，因为新的评定显示那使难为了电子能获得在基体的分层堆积的 graphene 变换其奔忙的高速公路成陡峭的小山和谷。
在本质物理的一个新的条款上， NIST 科学家也说使用扫描挖洞显微镜， graphene 可能是探通的交往的一个理想的媒体电导体和装绝缘体工之间 (STM)。
根据 NIST 研究员，当它与这个环境时，查出约瑟夫 Stroscio， graphene 的理想的属性只请是可用的。
“从 graphene 获得这个多数福利，我们必须充分地知道 graphene 的属性如何在真实世界的条件更改，当放置，例如它是与其他材料联系的一部分的设备”， Stroscio 说。
典型的半导体筹码是一个复杂 “三明治”交替的执行的，半导体和绝缘层和结构。 要执行他们的实验， NIST 组做他们与 graphene 唯一基本页和一块绝缘层分隔的另一个导体的自己的三明治。 当底部导体被充电时，它导致在 graphene 的等于和相反的充电。
检查在 STM 下，对 graphene 的被充电的状态是敏感的，高电子迁移率应该做 graphene 看起来象一架平凡的飞机。 但是，研究员尼古拉 Zhitenev 说 NIST， “什么我们查找了是在这个绝缘的基体的电子潜在的上变化中断电子的轨道在 graphene 的，创建涌出电子池和减少他们的流动性的地方”。
当这个组显示基体被挂接的 graphene 在高磁场时，此作用是特别显著的。 然后电子，已经使缓慢由基体交往，缺乏这个能源称阻力山和结算到 “数量小点的查出的矿穴”，四面八方限制电荷的毫微米缩放比例地区。
它不是所有坏消息。 对 graphene 的直接存取与浏览的探测也使成为可能调查物理在一 nanoscopic 等级的其他基体交往，是较不可能的在常规半导体设备重要传送层在表面下被埋没的事。
“通常，我们不可能学习装绝缘体工在基本缩放比例”， Stroscio 说。 “STM 与保持一常数挖洞当前通过调整技巧范例距离的回路系统一起使用。 在装绝缘体工没有当前可用的，因此这个系统将继续推进离这个基体较近的技巧，直到它最终失败到表面。 graphene 让我们获得足够接近这些基体材料学习他们的电子属性，但是不那么关闭我们损坏基体和仪器”。
来源： http://www.nist.gov/