Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

AIXTRON Recibe la Nueva Pedido para el Sistema de la Deposición de Vapor de Substancia Química del Carburo de Silicio

Published on January 20, 2011 at 6:42 AM

El SE de AIXTRON anunció hoy una nueva pedido para un sistema de la deposición de vapor químico del carburo de silicio (Sic (CVD)) de una investigación y de un centro de desarrollo de la corporación importantes situados en el nordeste de los E.E.U.U.

La orden comprende un sistema del reactor de la Caliente-Pared de la configuración del fulminante de VP508GFR 1x4-inch con las características adicionales incluyendo un reactor Doble de la Caliente-Pared del Tubo con la Rotación patentada AIXTRON de la Hoja Metálica del Gas para la uniformidad individual del fulminante y la capacidad da alta temperatura.

La compañía puso la orden durante el tercer cuarto de 2010. Después de salida en el segundo trimestre de 2011, las personas de soporte locales de AIXTRON realizarán la instalación y encargar.

El Dr. Frank Wischmeyer, Vicepresidente y Director de Gerente AIXTRON AB, comentarios, “Contra el contexto del Premio Nobel Para la Física concedió a Andre Geim y Konstantin Novoselov para Graphene, éste es buen cronometraje para nuestra salida próxima. Graphene es un material emocionante que posee la alta movilidad de electrón, haciéndole a un candidato potencial como el material del canal en los dispositivos y los circuitos integrados de alta frecuencia futuros.”

El sistema de AIXTRON VP508GFR probado en proyectos de investigación similares será utilizado para crecer epitaxial Sic y para convertir Sic crecido el material en capas monomoleculares de Graphene.

Para el R&D y la producción de la escala mediana, las ofertas del reactor del tubo de la Caliente-Pared del VP508GFR de AIXTRON escogen el fulminante 4 pulgadas y capacidad opcional de 6 pulgadas en una configuración doble del compartimiento para la productividad aumentada.

AIXTRON también ofrece las plataformas basadas producción del MOCVD usando su tipo planetario reactores del MOCVD con la capacidad da alta temperatura para Sic el incremento epitaxial para 4 - y capacidad de 6 pulgadas.

Fuente: http://www.aixtron.com/

Last Update: 11. January 2012 12:31

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit