Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

AIXTRON Ontvangt Nieuwe Orde voor het Systeem van het Deposito van de Chemische Damp van het Carbide van het Silicium

Published on January 20, 2011 at 6:42 AM

AIXTRON SE kondigde vandaag een nieuwe orde voor een systeem van het de chemische dampdeposito van het siliciumcarbide (sic (CVD)) van een belangrijk collectief die onderzoek & ontwikkelingscentrum aan in het noordoosten van de V.S. wordt gevestigd.

De orde bestaat uit een van de 1x4-duim VP508GFR de reactorsysteem van de heet-Muur wafeltjeconfiguratie met extra eigenschappen met inbegrip van een Dubbele reactor van de heet-Muur van de Buis met de AIXTRON gepatenteerde Omwenteling van de Folie van het Gas voor individuele wafeltjeuniformiteit en vermogen op hoge temperatuur.

Het bedrijf plaatste de orde tijdens het derde trimester van 2010. Na levering in het tweede trimester van 2011, zal het lokale AIXTRON ondersteuningsteam de installatie en het opdragen uitvoeren.

Dr. Frank Wischmeyer, de Ondervoorzitter en de Leidende die Directeur AIXTRON AB, commentaren, „Tegen de achtergrond van de Nobelprijs voor Fysica aan Andre Geim en Konstantin Novoselov voor Graphene, dit wordt toegekend zijn goede timing voor onze aanstaande levering. Graphene is een het opwekken materiaal dat hoge elektronenmobiliteit bezit, die tot het maken een potentiële kandidaat als kanaal materiële voortaan hoge frequentieapparaten en geïntegreerde schakelingen.“

Het systeem AIXTRON VP508GFR in gelijkaardige onderzoekprojecten zal wordt bewezen worden gebruikt om epitaxial te groeien sic en het gekweekte sic materiaal om te zetten in mono-layers van Graphene die.

Voor de productie van R&D en van de middelgrote schaal, biedt de de buisreactor van de heet-Muur VP508GFR van AIXTRON enig wafeltje 4 duim en facultatieve 6 duimcapaciteit in een dubbele kamerconfiguratie voor aan verbeterde productiviteit.

AIXTRON biedt productie ook gebaseerde MOCVD platforms aan sic gebruikend zijn planetarische typeMOCVD reactoren met vermogen op hoge temperatuur voor epitaxial groei voor 4 - en 6 duimvermogen.

Bron: http://www.aixtron.com/

Last Update: 11. January 2012 12:10

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit